[發(fā)明專(zhuān)利]一種光電器件的插入層結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510014462.3
• 申請(qǐng)日: 2015-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104617174A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李淼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安神光皓瑞光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0735
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0735;H01L31/0725
• 代理公司: 西安智邦專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 胡樂(lè)

1.一種光電器件的插入層結(jié)構(gòu)，插入層位于InGaN/GaN量子阱與AlGaN電子阻擋層之間，其特征在于：所述插入層采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)；在插入層中存在In和Al組分的漸變分布，In與Al組分的漸變規(guī)律相互獨(dú)立；

對(duì)于AlInGaN的插入層，In組分＜10％,Al組分＜15％；

對(duì)于AlInGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)的插入層，超晶格的對(duì)數(shù)為1-300對(duì)，In組分＜10％,Al組分＜15％，其中In組分的漸變發(fā)生在超晶格的AlInGaN或者InGaN中，或者這兩處都存在漸變，其中Al組分的漸變發(fā)生在超晶格的AlInGaN層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件的插入層結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述漸變分布的具體形式為線性遞增或遞減、階梯形、凹形、凸形、拋物線形中的一種或者分階段任意多種組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件的插入層結(jié)構(gòu)，其特征在于：插入層整體均為漸變結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的光電器件的插入層結(jié)構(gòu)，其特征在于：在插入層中，還摻入Mg形成P型摻雜，在層內(nèi)Mg組分為單一比例或者存在漸變分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電器件的插入層結(jié)構(gòu)，其特征在于：Mg漸變分布的具體形式為線性遞增或遞減、階梯形、凹形、凸形、拋物線形中的一種或者分階段任意多種組合。