[發明專利]一種a面藍寶石的刻蝕方法有效
| 申請號: | 201510013617.1 | 申請日: | 2015-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN104658887B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 鄒軍;房永征;李龍;孫孿鴻;張燦云 | 申請(專利權)人: | 上海應用技術學院 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司31001 | 代理人: | 吳寶根,馬文峰 |
| 地址: | 200235 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 藍寶石 刻蝕 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種a面藍寶石的刻蝕方法。
背景技術
藍寶石的主要成分是Al2O3,俗稱剛玉,硬度僅次于金剛石,屬于三方晶系,六方結構。目前是LED產業上游芯片生產所選襯底的主要材料。藍寶石對于GaN芯片的藍光有很好的透過性,有很高的機械強度,化學性質穩定,耐高溫下多種酸的侵蝕,有很好的抗熱沖擊能力,有很高的硬度、抗輻射能力和介電常數。
藍寶石的以上特點決定了它在能在很多行業得到很多的應用。但是由于它在LED行業應用中,與GaN芯片生長時還存在晶格失配,所以人們也不斷的尋找減少他們之間的晶格失配的方法,現在用得最多是機械刻蝕法,一方面,由于藍寶石的高硬度特性,也給機械刻蝕帶來了不便,另一方面,刻蝕藍寶石的目的之一是減少晶界缺陷,而機械刻蝕方法則是漫無目的的,相反,化學濕法刻蝕則是目的性非常強。
目前,藍寶石的刻蝕主要采用機械刻蝕法,但該方法存在對設備強度要求大、對晶界刻蝕無目的性等技術問題。
發明內容
本發明的目的為了解決上述藍寶石的刻蝕過程中對設備強度要求大、對晶界刻蝕無目的性等技術問題而提供一種a面藍寶石的刻蝕方法,該刻蝕方法具有無需高強度精準設備和對晶界刻蝕目的性強等優點。
本發明的技術方案
一種a面藍寶石的刻蝕方法,具體包括如下步驟:
(1)、按體積比計算,濃硫酸:濃磷酸為3:1的比例,將濃硫酸和濃磷酸混合后,所得的混合酸加熱到溫度160℃后,將a面藍寶石放入其中,保持溫度為160℃持續20min,然后自然冷卻,將混合酸倒出來,最后取出a面藍寶石,首先經過酒精的清洗,然后控制30℃,40KHZ的條件下進行超聲清洗,最后吹干,即得經酸處理后的a面藍寶石;
所述濃硫酸,其質量百分比濃度為95-98%,所述濃磷酸為質量百分比濃度為85%的磷酸水溶液;
(2)、將片狀固體NaOH放入到容器中加熱至溫度為325-340℃至其全部融化澄清,將步驟(1)所得的經酸處理后的a面藍寶石放入其中,保持溫度為325-340℃持續10min,此時不能讓容器自然冷卻,因為NaOH會迅速凝固,導致a面藍寶石無法取出來;
上述保持溫度為325-340℃持續10min后,直接用鑷子立刻取出a面藍寶石或將容器中的NaOH迅速倒出來后將a面藍寶石取出,取出的a面藍寶石首先經過酒精清洗,然后進行超聲清洗,最后吹干,即完成了a面藍寶石的刻蝕。
上述a面藍寶石的刻蝕方法,同樣適用于r面藍寶石的化學濕法刻蝕。
本發明的有益效果
本發明的一種a面藍寶石的刻蝕方法,由于采用了非機械刻蝕的化學濕法刻蝕技術對a面藍寶石進行刻蝕,在刻蝕后的SEM掃描圖像中,可以觀察到對a面藍寶石晶界的刻蝕上效果尤為突出,絕大部分晶界均被刻蝕掉。
進一步,經本發明的a面藍寶石的刻蝕方法所得的a面藍寶石的刻蝕效果均勻性好,品質良好,良率高。
附圖說明
圖1、經實施例1的刻蝕方法所得的a面藍寶石表面的SEM圖。
具體實施方式
下面通過具體實施例并結合附圖對本發明進一步闡述,但并不限制本發明。
實施例1
一種a面藍寶石的刻蝕方法,具體包括如下步驟:
(1)、按體積比計算,濃硫酸:濃磷酸為3:1的比例,將30ml濃硫酸和10ml濃磷酸混合后倒入燒杯中,將燒杯放在加熱板的中央進行加熱,待加熱溫度達到160℃后,將a面藍寶石放入裝有混合酸的燒杯中,保持160℃持續20min,然后自然冷卻,將混合酸倒出來,最后取出a面藍寶石,首先經過酒精的清洗,然后控制30℃,40KHZ的條件下進行超聲清洗,最后吹干,即得經酸處理后的a面藍寶石;
所述濃硫酸,其質量百分比濃度為95-98%,所述濃磷酸為質量百分比濃度為85%的磷酸水溶液;
(2)、將20g片狀固體NaOH裝進燒杯中,放在加熱板上加熱至溫度為325-340℃,可以看到片狀固體NaOH全部融化澄清,得到氫氧化鈉液體,將步驟(1)所得的經酸處理后的a面藍寶石放入氫氧化鈉液體中,保持溫度為325-340℃持續10min,此時不能讓燒杯自然冷卻,因為NaOH會迅速凝固,導致a面藍寶石無法取出來;
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