[發明專利]一種像素電路及其驅動方法

有效

• 申請號: 201510013256.0
• 申請日: 2013-05-21
• 公開（公告）號: CN104537984B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 楊飛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 李相雨

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素電路及其驅動方法。

背景技術

有機電致發光二極管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)作為一種電流型發光器件已越來越多地被應用于高性能有源矩陣發光有機電致顯示管中。傳統的無源矩陣有機電致發光顯示管(Passive Matrix OLED)隨著顯示尺寸的增大，需要更短的單個像素的驅動時間，因而需要增大瞬態電流，增加功耗。同時大電流的應用會造成納米銦錫金屬氧化物線上壓降過大，并使OLED工作電壓過高，進而降低其效率。而有源矩陣有機電致發光顯示管(AMOLED，Active Matrix OLED)通過開關晶體管逐行掃描輸入OLED電流，可以很好地解決這些問題。

在AMOLED的背板設計中，主要需要解決的問題是各AMOLED像素單元的補償電路之間的亮度非均勻性。

首先，AMOLED采用薄膜晶體管(TFT，Thin-Film Transistor)構建像素電路為發光器件提供相應的驅動電流。現有技術中，大多采用低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。與一般的非晶硅薄膜晶體管相比，低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管具有更高的遷移率和更穩定的特性，更適合應用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝的局限性，在大面積玻璃基板上制作的低溫多晶硅薄膜晶體管，常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學參數上具有非均勻性，這種非均勻性會轉化為OLED器件的驅動電流差異和亮度差異，并被人眼所感知，即色不均現象。氧化物薄膜晶體管雖然工藝的均勻性較好，但是與非晶硅薄膜晶體管類似，在長時間加壓和高溫下，其閾值電壓會出現漂移，由于顯示畫面不同，面板各部分薄膜晶體管的閾值漂移量不同，會造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關，因此常呈現為殘影現象。

第二，在大尺寸顯示應用中，由于背板電源線存在一定電阻，且所有像素的驅動電流都由電源電壓(ARVDD)提供，因此在背板中靠近ARVDD電源供電位置區域的電源電壓相比較離供電位置較遠區域的電源電壓要高，這種現象被稱為電源壓降。由于ARVDD的電壓與電流相關，電源壓降也會造成不同區域的驅動電流差異，進而在顯示時產生色不均現象。采用P型TFT構建像素單元的低溫多晶硅工藝對這一問題尤其敏感，因為其存儲電容連接在ARVDD與TFT柵極之間，ARVDD的電壓改變，會直接影響驅動TFT管的柵極電壓V_gs。

第三，發光器件在蒸鍍時由于膜厚不均也會造成電學性能的非均勻性。對于采用N型TFT構建像素單元的非晶硅或氧化物薄膜晶體管工藝，其存儲電容連接在驅動TFT柵極與發光器件陽極之間，在數據電壓傳輸到柵極時，如果各像素發光器件第一電壓端不同，則實際加載在TFT上的柵極電壓V_gs不同，從而驅動電流不同造成顯示亮度差異。

因此，為解決上述問題，本發明急需提供一種像素電路及其驅動方法。

發明內容

本發明所解決的技術問題是提供一種像素電路及其驅動方法，用于解決現有技術的像素電路在補償時發生的驅動晶體管閾值電壓非均勻性的目的。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：一種像素電路，包括復位子電路，充電子電路、驅動子電路以及發光器件，其中，

所述發光器件的第一端連接第二電壓端；

所述驅動子電路包括驅動晶體管、第一晶體管、第三晶體管和第一存儲電容、第二存儲電容，所述驅動晶體管的源極連接所述第一晶體管的漏極以及所述第三晶體管的漏極，所述驅動晶體管的漏極連接所述發光器件的第二端，所述驅動晶體管的柵極連接所述第一存儲電容的第一端；所述第一晶體管的源極連接第一電壓端，所述第一晶體管的柵極連接所述第二存儲電容的第一端；

所述第二存儲電容的第二端連接參考電壓端；所述第三晶體管的源極連接所述驅動晶體管的柵極，所述第三晶體管的漏極連接所述驅動晶體管的源極，所述第三晶體管的柵極連接第一掃描信號線；

所述復位子電路用于在第一掃描信號線輸出的第一掃描信號的控制下對所述第一存儲電容和所述第二存儲電容進行放電；

所述充電子電路包括第五晶體管和第六晶體管，所述第五晶體管的源極連接數據電壓輸入端，所述第五晶體管的漏極連接所述第四晶體管的源極，所述第五晶體管的柵極連接第二掃描信號線；所述第六晶體管的柵極和所述第六晶體管的源極連接第三掃描信號線，所述第六晶體管的漏極連接所述第二晶體管的源極。