[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 201510013137.5 | 申請日： | 2015-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN105304783A | 公開（公告）日： | 2016-02-03 |
| 發明（設計）人： | 磯部康裕;杉山直治 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/00;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陳建全 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
第一氮化物半導體層、
設置在所述第一氮化物半導體層的第一側的本征氮化物半導體層、以及
設置在所述本征氮化物半導體層的與所述第一氮化物半導體層相對的一側的、具有Al的第二氮化物半導體層，
所述第一氮化物半導體層在所述第一氮化物半導體層、所述本征氮化物半導體層以及所述第二氮化物半導體層層疊的方向上具有第一濃度與低于所述第一濃度的第二濃度重復出現的碳分布。
2.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
具有Al的第一氮化物半導體層、
設置在所述第一氮化物半導體層的第一側的本征氮化物半導體層、以及
設置在所述本征氮化物半導體層的與所述第一氮化物半導體層相對的一側的、具有Al的第二氮化物半導體層，
所述第一氮化物半導體層具有濃度發生變化的碳分布。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一氮化物半導體層中的Al濃度在所述第一氮化物半導體層、所述本征氮化物半導體層以及所述第二氮化物半導體層層疊的方向上遞減。
4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，所述Al濃度呈階梯式遞減。
5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一氮化物半導體層在所述第一氮化物半導體層、所述本征氮化物半導體層以及所述第二氮化物半導體層層疊的方向上具有第一濃度和低于所述第一濃度的第二濃度重復出現的Al分布。
6.根據權利要求1或5所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一濃度的最大值是5×1019cm-3。
7.根據權利要求1、5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二濃度的最小值是1×1010cm-3。
8.根據權利要求1、5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一濃度和所述第二濃度重復出現數為5以上。
9.根據權利要求1、5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，將所述第一氮化物半導體層的厚度設為Yμm時，所述第一濃度和所述第二濃度重復出現數為10Y以上且1000Y以下。
10.根據權利要求1～3、5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：
在所述第二氮化物半導體層的與所述本征氮化物半導體層相對的一側彼此離開地設置的第一電極以及第二電極、以及
在所述第二氮化物半導體層的與所述本征氮化物半導體層相對的一側設置在所述第一電極與第二電極之間的控制電極。
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