[發明專利]一種CMOS片上直流負電壓產生電路有效
| 申請號: | 201510011967.4 | 申請日: | 2015-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN104714589B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 胡蓉彬;王永祿;胡剛毅;陳光炳;王育新;付東兵;張正平;朱璨 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第二十四研究所 |
| 主分類號: | H02M3/07 | 分類號: | H02M3/07 |
| 代理公司: | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙)11316 | 代理人: | 劉佳 |
| 地址: | 400060 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cmos 直流 電壓 產生 電路 | ||
1.一種CMOS片上直流負電壓產生電路,其特征在于,包括充電單元、時鐘單元、電荷泵單元、輸出單元和電荷存儲單元;其中,
所述充電單元,用于向所述電荷泵單元充電;
所述時鐘單元,用于向所述電荷泵單元提供所需時鐘信號;
所述電荷泵單元,用于產生幅度大小等于正電源電壓的負脈沖電壓;
所述輸出單元,用于把所述電荷泵單元產生的負脈沖電壓轉換成直流負電壓,該直流負電壓的大小等于正電源電壓;
所述電荷存儲單元,用于存儲被所述電荷泵單元帶到負電位的電荷,同時使所述輸出單元輸出的直流負電壓在CMOS芯片工作過程中保持穩定;其中,
所述電荷泵單元由第一電容器和第二電容器構成,所述第一電容器的上極板連接所述時鐘單元輸出的第一時鐘信號CK1,所述第二電容器的上極板連接所述時鐘單元輸出的第二時鐘信號CK2,所述第一電容器的下極板連接所述充電單元中第一PMOS晶體管的源極,所述第二電容器的下極板連接所述充電單元中第二PMOS晶體管的源極;所述第一電容器的上極板和下極板之間并聯有第三PMOS晶體管,所述第二電容器的上極板和下極板之間并聯有第四PMOS晶體管;所述第三PMOS晶體管的源極和柵極連接所述第一電容器的上極板,漏極連接所述第一電容器的下極板,襯底連接直流正電源電壓VCC;所述第四PMOS晶體管的源極和柵極連接所述第二電容器的上極板,漏極連接所述第二電容器的下極板,襯底連接直流正電源電壓VCC;
所述充電單元由一對交叉耦合的第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管構成,所述第一PMOS晶體管的源極連接第二PMOS晶體管的柵極,所述第二PMOS晶體管的源極連接第一PMOS晶體管的柵極,所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的漏極均接地GND,所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的襯底均連接直流正電源電壓VCC,所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的源極分別連接所述電荷泵單元,在電路工作過程中輪流給所述電荷泵單元充電;
所述輸出單元由一對交叉耦合的第一深阱NMOS晶體管和第二深阱NMOS晶體管構成,所述第一深阱NMOS晶體管的漏極連接所述第二深阱NMOS晶體管的柵極,所述第二深阱NMOS晶體管的漏極連接第一深阱NMOS晶體管的棚極,所述第一深阱NMOS晶體管的襯底與其源極連接在一起,所述第二深阱NMOS晶體管的襯底與其源極連接在一起,所述第一深阱NMOS晶體管的源極和第二深阱NMOS晶體管的源極連接在一起構成輸出單元的輸出端,輸出直流負電壓VD,所述第一深阱NMOS晶體管和第二深阱NMOS晶體管的漏極分別連接所述電荷泵單元;
所述電荷泵單元由第三深阱NMOS晶體管和第四深阱NMOS晶體管構成,所述第三深阱NMOS晶體管的柵極連接所述時鐘單元輸出的第一時鐘信號CK1,所述第四深阱NMOS晶體管的柵極連接所述時鐘單元輸出的第二時鐘信號CK1,所述第三深阱NMOS晶體管的漏極、襯底和源極連接至所述充電單元中第一PMOS晶體管的源極,所述第四深阱NMOS晶體管的漏極、襯底和源極連接至所述充電單元中第二PMOS晶體管的源極;同時,
所述電荷存儲單元由一大尺寸第五深阱NMOS晶體管構成,所述第五深阱NMOS晶體管的柵極接地,漏極、襯底和源極連接至所述輸出單元的輸出端。
2.根據權利要求1所述的CMOS片上直流負電壓產生電路,其特征在于,所述時鐘單元由一對串行連接的第一反相器和第二反相器構成,所述第一反相器的輸入端接收外部時鐘信號CLKIN,輸出端連接所述第二反相器的輸入端并輸出第一時鐘信號CK1;所述第二反相器的輸出端輸出第二時鐘信號CK2,所述第一時鐘信號CK1和第二時鐘信號CK2均連接至所述電荷泵單元。
3.根據權利要求2所述的CMOS片上直流負電壓產生電路,其特征在于,所述第一反相器和第二反相器具有相同的結構,均由一NMOS晶體管和PMOS晶體管構成,所述NMOS晶體管和PMOS晶體管的漏極連接到一起作為反相器的輸出端,柵極連接到一起作為反相器的輸入端,所述NMOS晶體管的源極和襯底連接到一起接地GND,所述PMOS晶體管的源極和襯底連接到一起接直流正電源電壓VCC。
4.根據權利要求1所述的CMOS片上直流負電壓產生電路,其特征在于,所述電荷存儲單元由一大容量電容器Co構成,所述電容器Co的上極板接地,下極板連接所述輸出單元的輸出端。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國電子科技集團公司第二十四研究所,未經中國電子科技集團公司第二十四研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510011967.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:與絕對溫度成正比電路
- 下一篇:穩壓器





