[發明專利]一種由分割計算圓柱型諧振腔Qt值來確定沉積臺的方法

有效

• 申請號: 201510010068.2
• 申請日: 2015-01-08
• 公開（公告）號: CN104598677B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 王輔忠;李培;張光璐;張慧春
• 申請（專利權）人: 天津工業大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 天津盛理知識產權代理有限公司 12209
• 代理人: 韓奎勇

1.一種由分割計算圓柱型諧振腔Q_t值來確定沉積臺的方法，其特征在于方法步驟如下：

(1)在圓柱型諧振腔模型中建立軸坐標，確定旋度方程；其中，軸坐標的軸線z與圓柱型諧振腔的中軸重合，z軸的零點為圓柱型諧振腔底面的圓心，在應用軸坐標的情況下，圓柱型諧振腔內磁場強度H和電場強度E的旋度方程為：

在上式中：H為磁場強度，E為電場強度，r為圓柱型諧振腔的半徑，ε為電常數，μ為磁常數；

(2)將諧振腔內部的空間進行劃分；具體劃分方法為：

以坐標z軸的零點為基準點，等比例增加高度以及圓柱形的半徑，將腔體分割成一系列不同高度和半徑的同軸圓柱體，其中，一系列不同高度和半徑的同軸圓柱體的高度和半徑每次增加的尺度為圓柱型諧振腔高度及半徑的六分之一到十分之一；

(3)分塊計算類品質因數Q_t；根據上述步驟(2)劃分的空間，分塊計算類品質因數Q_t，計算公式如下：

在上式中，分子為每一個劃分的小圓柱體內電場強度E的平方和，分母為整個諧振腔內部的全部空間電場強度的平方和，通過不同區域類品質因數Q_ti值的變化，清楚的描繪出在諧振腔內部的電場強弱的分布；

(4)諧振腔內部等離子區具體位置的確定；在劃分的某兩個連續區域之間，當Q_ti值發生明顯過渡，則兩區域的邊界線做為等離子區的劃分線，對于圓柱型諧振腔，在靠近諧振腔底部位置，電場強度大的一側區域即為等離子區，其中，Q_ti值發生明顯過渡具體是指Q_ti值變化大于±5％；

(5)沉積臺位置的確定；利用步驟(4)得出等離子區的位置后，根據等離子區的高度設計沉積臺的高度，等離子區的下部區分線即為沉積臺的高度，等離子區的寬度即為沉積臺的寬度。