[發明專利]一種霍山石斛扦插方法在審
| 申請號: | 201510001924.8 | 申請日: | 2015-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN104641878A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發明(設計)人: | 孫大學 | 申請(專利權)人: | 安徽省霍山縣五峰山石斛開發有限公司 |
| 主分類號: | A01G1/00 | 分類號: | A01G1/00 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 237200 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 霍山 石斛 扦插 方法 | ||
1.一種霍山石斛扦插方法,其特征在于包括以下內容:
(1)準備苗床:
按霍山石斛生長習性,搭建高3米,寬5-6米遮萌棚,遮萌率為75%,
要求苗床雨停溝干,寬1.2米石子大小1-2公分鋪在苗床上,總厚度18-22公分,
備好消毒過的松樹皮,所述松樹皮與手指甲大小相當,撒在石子表面2公分厚;
(2)選扦插鮮莖:選植株二年生健壯無病蟲害的鮮莖,修剪長度為5公分一段;
(3)扦插方法:
給準備好鮮莖平放在苗床的表面,間隙4-5公分,
擺好后再準備好松樹皮,再撒在表面,厚度至鮮莖一平即可,
再用山泉水澆透即可;
(4)扦插時間:每年的三-四月份;
(5)管理:
溫度保持在25℃-30℃之間,最高溫度不能超過34℃,
濕度保持在60%-70%之間,連陰雨天可放農膜蓋在大棚表面,雨后立即除去農膜,
晴天每間隔一天澆水一次,澆水時間為5分鐘,10月份后每間隔5-6天澆水一次,氣溫降至10℃以下時停止澆水,保證苗床干燥,準備越冬,
溫度在0℃左右時,在苗床上鋪稻草,給大棚蓋上農膜,密封好,保證小苗越冬,
次年的春天打開密封好大棚,除去稻草,從鮮莖上輕輕摘下小苗栽種在苗床上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于安徽省霍山縣五峰山石斛開發有限公司;,未經安徽省霍山縣五峰山石斛開發有限公司;許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510001924.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:馬鈴薯平作覆膜自破膜出苗栽培方法
- 下一篇:一種向日葵的種植方法





