[發明專利]一種吸附裝置及其工作方法在審
| 申請號: | 201510001892.1 | 申請日: | 2015-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN104485303A | 公開(公告)日: | 2015-04-01 |
| 發明(設計)人: | 井楊坤;武興 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 吸附 裝置 及其 工作 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體加工技術領域,尤其涉及一種吸附裝置及其工作方法。
背景技術
現有技術中的吸附裝置進行等離子體加工時,所述吸附裝置的溫度通常由于產生的等離子體的作用而升高。另外,在多個工序進行一系列的加工工藝中,各工序之間的基片溫度必定有很大的變化,從而使得所述吸附裝置的溫度有時也會有很大的變化。所述吸附裝置的溫度變化會影響所述吸附裝置的電阻率,例如,當溫度變高時,所述吸附裝置的電阻率變低。當溫度變低時,所述吸附裝置的電阻率變高。所述吸附裝置的電阻率根據溫度如此變化,使得所述吸附裝置的吸附力也會根據溫度的變化而發生變化。
發明內容
為解決上述問題,本發明提供一種吸附裝置及其工作方法,用于解決現有技術中吸附裝置的溫度變化引起吸附力發生變化的問題。
為此,本發明提供一種吸附裝置,包括承載模塊、電源模塊、溫度檢測模塊和電壓控制模塊,所述承載模塊分別與所述電源模塊和所述溫度檢測模塊連接,所述電源模塊與所述電壓控制模塊連接,所述溫度檢測模塊與所述電壓控制模塊連接;所述承載模塊用于吸附并承載基片;所述電源模塊用于向所述承載模塊加載直流電壓以使所述承載模塊產生吸附力;所述溫度檢測模塊用于檢測所述承載模塊的溫度;所述電壓控制模塊用于根據所述溫度控制所述電源模塊輸出的直流電壓,以使所述吸附力為恒定值。
可選的,還包括反向模塊,所述反向模塊分別與所述承載模塊和所述電源模塊連接;所述反向單元用于將所述直流電壓的極性反向,以使所述承載模塊產生與所述吸附力相反的作用力。
可選的,所述電壓控制模塊還用于當所述溫度比預定溫度高時,控制所述電源模塊降低所述直流電壓,當所述溫度比預定溫度低時,控制所述電源模塊提高所述直流電壓。
可選的,還包括時間控制模塊,所述時間控制模塊分別與所述承載模塊和所述反向模塊連接;所述時間控制模塊用于當所述直流電壓的極性反向時,根據所述溫度控制極性反向的直流電壓的施加時間,以中和所述承載模塊的電荷。
可選的,所述時間控制模塊還用于當所述溫度比預定溫度高時,控制所述極性反向的直流電壓的施加時間大于預定時間,當所述溫度比預定溫度低時,控制所述極性反向的直流電壓的施加時間小于所述預定時間。
本發明還提供一種吸附裝置的工作方法,所述吸附裝置包括承載模塊、電源模塊、溫度檢測模塊和電壓控制模塊,所述承載模塊分別與所述電源模塊和所述溫度檢測模塊連接,所述電源模塊與所述電壓控制模塊連接,所述溫度檢測模塊與所述電壓控制模塊連接;所述工作方法包括:所述承載模塊吸附并承載基片;所述電源模塊向所述承載模塊加載直流電壓以使所述承載模塊產生吸附力;所述溫度檢測模塊檢測所述承載模塊的溫度;所述電壓控制模塊根據所述溫度控制所述電源模塊輸出的直流電壓,以保持所述吸附力恒定。
可選的,所述吸附裝置還包括反向模塊,所述反向模塊分別與所述承載模塊和所述電源模塊連接;所述工作方法還包括:所述反向單元將所述直流電壓的極性反向,以使所述承載模塊產生與所述吸附力相反的作用力。
可選的,所述電壓控制模塊根據所述溫度控制所述電源模塊輸出的直流電壓的步驟包括:當所述溫度比預定溫度高時,所述電壓控制模塊控制所述電源模塊降低所述直流電壓;當所述溫度比預定溫度低時,所述電壓控制模塊控制所述電源模塊提高所述直流電壓。
可選的,所述吸附裝置還包括時間控制模塊,所述時間控制模塊分別與所述承載模塊和所述反向模塊連接;所述工作方法還包括:當所述直流電壓的極性反向時,所述時間控制模塊根據所述溫度控制極性反向的直流電壓的施加時間,以中和所述承載模塊的電荷。
可選的,所述當所述直流電壓的極性反向時,所述時間控制模塊根據所述溫度確定極性反向的直流電壓的施加時間的步驟包括:當所述溫度比預定溫度高時,所述時間控制模塊控制所述極性反向的直流電壓的施加時間大于預定時間;當所述溫度比預定溫度低時,所述時間控制模塊控制所述極性反向的直流電壓的施加時間小于所述預定時間。
本發明具有下述有益效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





