[其他]用于涂布基板的設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201490001616.4
• 申請(qǐng)日: 2014-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN208791746U
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丹尼爾·塞韋林;馬庫(kù)斯·本德;馬庫(kù)斯·哈尼卡;拉爾夫·林登貝格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): C23C14/50
• 分類號(hào): C23C14/50
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

1.一種用于涂布基板的設(shè)備，其特征在于，包括：

真空工藝腔室，包括：

氣體入口組件，包括至少一個(gè)連接器，所述連接器用于連接至一個(gè)或多個(gè)工藝氣體源；

濺射組件，包括濺射源，其中所述濺射組件在所述真空工藝腔室中是可移動(dòng)的；以及

其中所述設(shè)備包括：

控制器，被配置為用于依據(jù)所述真空工藝腔室中的所述濺射組件或所述濺射源的當(dāng)前位置，來(lái)控制下述內(nèi)容中的至少一個(gè)：通過所述氣體入口組件導(dǎo)入所述真空工藝腔室的工藝氣體的流量、通過所述氣體入口組件導(dǎo)入所述真空工藝腔室的所述工藝氣體的成分、通過所述氣體入口組件導(dǎo)入所述真空工藝腔室的所述工藝氣體的分布、以及抽出所述真空工藝腔室的氣流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述濺射源包括可旋轉(zhuǎn)靶材。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括布置于所述真空工藝腔室中的基板引導(dǎo)系統(tǒng)，所述基板引導(dǎo)系統(tǒng)被布置為用于在涂布期間支撐所述基板，并且用于將所述基板移入所述真空工藝腔室和移出所述真空工藝腔室，其中所述濺射組件沿著所述基板引導(dǎo)系統(tǒng)是可移動(dòng)的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括耦接至所述濺射組件的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其中所述驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)被配置為實(shí)現(xiàn)所述濺射組件的平移運(yùn)動(dòng)，并且具體來(lái)說，其中所述控制器耦接至所述驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，用于控制所述濺射組件的所述平移運(yùn)動(dòng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，包括耦接至所述濺射組件的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其中所述驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)被配置為實(shí)現(xiàn)所述濺射組件的平移運(yùn)動(dòng)，并且具體來(lái)說，其中所述控制器耦接至所述驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，用于控制所述濺射組件的所述平移運(yùn)動(dòng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述氣體入口組件與所述濺射組件是可一起移動(dòng)的。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述氣體入口組件和所述濺射組件安裝在支架上。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述氣體入口組件與所述濺射組件是可一起移動(dòng)的。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述氣體入口組件和所述濺射組件安裝在支架上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述控制器經(jīng)構(gòu)造以持續(xù)調(diào)整至少一個(gè)處理氣體參數(shù)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述氣體入口組件包括M個(gè)氣體入口，用于將所述工藝氣體導(dǎo)入所述真空工藝腔室，其中M在從1至15的范圍內(nèi)，并且其中所述控制器被配置為用于依據(jù)所述M個(gè)氣體入口的位置，控制以下至少一個(gè)：流經(jīng)所述M個(gè)氣體入口的所述工藝氣體的所述流量、所述工藝氣體的所述成分、以及所述工藝氣體的所述分布。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述濺射組件包括N個(gè)另外的濺射源，其中N在從1至10的范圍內(nèi)，并且其中所述N個(gè)另外的濺射源和所述濺射源的類型相同。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述濺射組件包括N個(gè)另外的濺射源，其中N在從1至10的范圍內(nèi)，并且其中所述N個(gè)另外的濺射源和所述濺射源的類型相同。

14.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括以下至少一個(gè)：

屏蔽件，布置于所述基板引導(dǎo)系統(tǒng)處，用于在涂布期間屏蔽所述基板或基板載體；

所述真空工藝腔室的腔室壁；以及

一個(gè)或多個(gè)真空泵，連接至所述真空工藝腔室的一個(gè)或多個(gè)氣體出口，

其中所述控制器被配置為用于根據(jù)所述濺射組件或所述濺射源是否面向所述基板、所述屏蔽件、或所述腔室壁，來(lái)改變以下至少一個(gè)：所述工藝氣體的所述流量、所述工藝氣體的所述成分、所述工藝氣體的所述分布、以及通過所述一個(gè)或多個(gè)真空泵抽出所述真空工藝腔室的總體氣流、以及通過所述一個(gè)或多個(gè)的氣體出口抽出所述真空工藝腔室的局部氣流的分布。