[其他]用于測量沉積在大面積基板上的材料層的性質的裝置有效
| 申請號: | 201490001491.5 | 申請日: | 2014-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN207347653U | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發明(設計)人: | A·克洛佩爾 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/52;C23C14/54;C23C14/56;C30B25/16 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 測量 沉積 大面積 基板上 材料 性質 裝置 | ||
1.一種用于測量沉積在大面積基板上的材料層的性質的裝置,所述裝置包括:
控制器;
基板運輸布置,所述基板運輸布置與所述控制器通信以確定所述基板的位置和/或速度;
至少三個源的陣列,所述至少三個源的陣列被配置成用于在所述基板的表面上沉積第一材料層,其中所述至少三個源的陣列與所述控制器通信,其中所述控制器被配置成用于控制所述第一材料層的沉積;以及
測量單元,所述測量單元被配置成與所述控制器通信,以便當所述基板由所述基板運輸布置沿所述測量單元移動時,允許對所述基板上方的所述第一材料層的性質的測量;
其中所述控制器被配置成用于使對所述第一材料層的所述性質的測量與指示沿所述基板運輸布置的所述基板的位置和/或速度的信號相關。
2.如權利要求1所述的裝置,其中所述控制器配置成用于使對所述第一材料層的所述性質的測量與來自所述基板運輸布置的信號相關,以確定在所述基板上的所述測量的位置。
3.如權利要求1所述的裝置,其中所述控制器被配置成在所述基板上的至少兩個位置處確定所述基板上的所述第一材料層的性質。
4.如權利要求2所述的裝置,其中所述控制器被配置成在所述基板上的至少兩個位置處確定所述基板上的所述第一材料層的性質。
5.如權利要求1所述的裝置,其中所述控制器被配置成用于計算在由所述第一材料層的所述性質產生的第一位置相關輪廓與由第二材料層的性質產生的第二位置相關輪廓之間的第一差分測量信號。
6.如權利要求2所述的裝置,其中所述控制器被配置成用于計算在由所述第一材料層的所述性質產生的第一位置相關輪廓與由第二材料層的性質產生的第二位置相關輪廓之間的第一差分測量信號。
7.如權利要求3所述的裝置,其中所述控制器被配置成用于計算在由所述第一材料層的所述性質產生的第一位置相關輪廓與由第二材料層的性質產生的第二位置相關輪廓之間的第一差分測量信號。
8.如權利要求4所述的裝置,其中所述控制器被配置成用于計算在由所述第一材料層的所述性質產生的第一位置相關輪廓與由第二材料層的性質產生的第二位置相關輪廓之間的第一差分測量信號。
9.如權利要求5至8中的任一項所述的裝置,其中所述基板的所述表面的所述第二位置相關輪廓是先前沉積在所述基板的所述表面上的材料層的位置相關輪廓,或者其中所述基板的所述表面的所述第二位置相關輪廓是所述基板的所述表面的預先確定位置相關輪廓。
10.如權利要求5所述的裝置,其中所述控制器進一步配置成用于基于所述差分測量信號計算校正因子,所述校正因子可應用于所述至少三個源的陣列以使至少一個工藝參數改變。
11.如權利要求9所述的裝置,其中所述控制器進一步配置成用于基于所述差分測量信號計算校正因子,所述校正因子可應用于所述至少三個源的陣列以使至少一個工藝參數改變。
12.如權利要求1至8中任一項所述的裝置,其進一步包括起點觸發元件,所述起點觸發元件用于檢測對所述基板的所述表面的測量的起點。
13.如權利要求9所述的裝置,其進一步包括起點觸發元件,所述起點觸發元件用于檢測對所述基板的所述表面的測量的起點。
14.如權利要求10所述的裝置,其進一步包括起點觸發元件,所述起點觸發元件用于檢測對所述基板的所述表面的測量的起點。
15.如權利要求12所述的裝置,其中所述起點觸發元件選自由以下項組成的組:配置成用于檢測起點的所述測量單元;以及另一測量裝置。
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