[發明專利]電氣設備用負極活性物質以及使用其的電氣設備有效
| 申請號： | 201480084170.0 | 申請日： | 2014-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN107112514B | 公開（公告）日： | 2020-02-28 |
| 發明（設計）人： | 蕪木智裕;渡邊學;千葉啟貴;三木文博;谷村誠 | 申請（專利權）人： | 日產自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01M4/36 | 分類號： | H01M4/36;H01M4/02;H01M4/38;H01M10/0585 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電氣 備用 負極 活性 物質 以及 使用 電氣設備 | ||
1.一種電氣設備用負極活性物質，其特征在于，負極活性物質含有具有下述化學式(I)所示的組成的含硅合金，
SixSnyMzAa (I)
在上述化學式(I)中，
A為不可避免的雜質，
M為1種或2種以上過渡金屬元素，
x、y、z和a表示質量％的值，此時，0＜x＜100、0＜y＜100、7＜z＜100且0≤a＜0.5，x+y+z+a＝100，
由該含硅合金的通過透射電子顯微鏡(TEM)得到的晶格圖像進行傅里葉變換處理，得到衍射圖案，
對該衍射圖案中的、將Si正四面體間距離設為1.0時存在于0.7～1.0寬度內的衍射環部分進行逆傅里葉變換，由得到的傅里葉圖像計算非晶質區域的Si正四面體間距離時，該Si正四面體間距離為0.41～0.48nm，
所述含硅合金具有：成為母相的以硅為主體的第一相；以及分散在所述第一相的、結晶性的、含有過渡金屬的硅化物的第二相。
2.根據權利要求1所述的電氣設備用負極活性物質，其中，在所述化學式(I)中，M為鈦(Ti)。
3.一種電氣設備用負極，其特征在于，使用了權利要求1或2所述的電氣設備用負極活性物質。
4.一種電氣設備，其特征在于，使用了權利要求3所述的電氣設備用負極。
5.一種電氣設備用負極活性物質的篩選方法，其特征在于，負極活性物質含有含硅合金，
由該含硅合金的通過透射電子顯微鏡(TEM)得到的晶格圖像進行傅里葉變換處理，得到衍射圖案，
對該衍射圖案中的、將Si正四面體間距離設為1.0時存在于0.7～1.0寬度內的衍射環部分進行逆傅里葉變換，由得到的傅里葉圖像計算非晶質區域的Si正四面體間距離時，通過該Si正四面體間距離是否為0.39nm以上來判斷是否合適。
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