[發明專利]多層膜有效
| 申請號: | 201480083913.2 | 申請日: | 2014-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN107000369B | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | T·E·卡內;C·R·貝克斯;J·M·巴爾托靈 | 申請(專利權)人: | E.I.內穆爾杜邦公司 |
| 主分類號: | C08K3/04 | 分類號: | C08K3/04;C08K3/22;C08K3/36;B32B7/00;B32B7/02;B32B7/12;B32B19/00;B32B27/00;B32B27/06;B32B27/08;B32B27/14;B32B27/18;B32B27/20;B |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊;朱黎明 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰亞胺層 多層膜 聚酰亞胺 熱解法金屬氧化物 光澤度 消光劑 炭黑 | ||
1.一種多層膜,包含:
a.從8至130微米厚的第一聚酰亞胺層,包含:聚酰亞胺,該聚酰亞胺衍生自基于該聚酰亞胺的總二酐含量至少50摩爾百分比的芳族二酐和基于該聚酰亞胺的總二胺含量至少50摩爾百分比的芳族二胺;
b.與該第一聚酰亞胺層直接接觸的從0.5至20微米厚的第二聚酰亞胺層,該第二聚酰亞胺層包含:
i)25wt%至50wt%的聚酰亞胺,該聚酰亞胺衍生自基于該聚酰亞胺的總二酐含量至少50摩爾百分比的芳族二酐和基于該聚酰亞胺的總二胺含量至少50摩爾百分比的芳族二胺;
ii)15wt%至35wt%的聚酰亞胺顆粒消光劑;
iii)大于0且小于20wt%的至少一種亞微米炭黑;
iv)15wt%至50wt%的至少一種亞微米熱解法金屬氧化物;并且
其中該多層膜具有小于30的L*顏色和小于10的60度光澤度值。
2.根據權利要求1所述的多層膜,該第一聚酰亞胺層還包含:
i.)1wt%至15wt%的低電導率炭黑,或
ii.)1wt%至40wt%的顏料或染料。
3.根據權利要求2所述的多層膜,該第一聚酰亞胺層還包含1wt%至20wt%的消光劑,該消光劑選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化硼、硫酸鋇、聚酰亞胺顆粒、磷酸鈣、滑石或其混合物。
4.根據權利要求2所述的多層膜,該第一聚酰亞胺層還包含1wt%至20wt%的消光劑,該消光劑是具有從2至9微米的平均粒徑的炭黑。
5.根據權利要求2所述的多層膜,該第一聚酰亞胺層還包含1wt%至20wt%的消光劑,該消光劑是以下各項的混合物:
i)具有從2至9微米的平均粒徑的炭黑;以及
ii)二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化硼、硫酸鋇、聚酰亞胺顆粒、磷酸鈣、滑石或其混合物。
6.根據權利要求1所述的多層膜,該第一聚酰亞胺層還包含:
i.)2wt%至9wt%的低電導率炭黑;
ii)消光劑,該消光劑:
a.以從1.6至10重量百分比的量存在,
b.具有從1.3至10微米的中值粒徑,并且
c.具有從2至4.5g/cc的密度。
7.根據權利要求1所述的多層膜,其中該第一聚酰亞胺層的聚酰亞胺衍生自均苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚,并且其中該第二聚酰亞胺層的聚酰亞胺衍生自
i)均苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚,
ii)均苯四酸二酐、4,4’-二氨基二苯醚和對苯二胺,
iii)均苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚的嵌段以及均苯四酸二酐和對苯二胺的嵌段,或
iv)3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、均苯四酸二酐、4,4’-二氨基二苯醚和對苯二胺。
8.根據權利要求1所述的多層膜,還包含與該第二聚酰亞胺層相反的、與該第一聚酰亞胺層直接接觸的從0.5至20微米厚的第三聚酰亞胺層,該第三聚酰亞胺層包含:
i)聚酰亞胺,該聚酰亞胺衍生自基于該聚酰亞胺的總二酐含量至少50摩爾百分比的芳族二酐和基于該聚酰亞胺的總二胺含量至少50摩爾百分比的芳族二胺;以及
ii)消光劑或其混合物。
9.根據權利要求8所述的多層膜,其中該第三聚酰亞胺層中的該消光劑是以下各項的混合物:
i)具有從2至9微米的平均粒徑的炭黑;以及
ii)二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氮化硼、硫酸鋇、聚酰亞胺顆粒、磷酸鈣、滑石或其混合物。
10.根據權利要求1所述的多層膜,還包含與該第二聚酰亞胺層相反的、與該第一聚酰亞胺層直接接觸的從0.5至20微米厚的第三聚酰亞胺層,該第三聚酰亞胺層包含:
i)25wt%至50wt%的聚酰亞胺,該聚酰亞胺衍生自基于該聚酰亞胺的總二酐含量至少50摩爾百分比的芳族二酐和基于該聚酰亞胺的總二胺含量至少50摩爾百分比的芳族二胺;
ii)15wt%至35wt%的聚酰亞胺顆粒消光劑;
iii)大于0且小于20wt%的至少一種亞微米炭黑;以及
iv)15wt%至50wt%的至少一種亞微米熱解法金屬氧化物。
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