[發(fā)明專(zhuān)利]用于化學(xué)輔助圖案化的光可界定的對(duì)準(zhǔn)層

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480083740.4
• 申請(qǐng)日: 2014-12-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107004595B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·R·揚(yáng)金;M·J·利森;J·M·布萊克韋爾;E·S·普特納;M·克雷薩克;R·胡拉尼;E·韓;R·L·布里斯托爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/308
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/308;H01L21/311
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種用于形成光可界定的對(duì)準(zhǔn)層的方法，包括：

在包括轉(zhuǎn)換組分的硬掩模之上設(shè)置化學(xué)增強(qiáng)抗蝕劑(CAR)材料；

利用極紫外線光刻工藝曝光所述CAR材料的部分以形成經(jīng)曝光的抗蝕劑部分，其中，所述曝光在所述經(jīng)曝光的抗蝕劑部分中產(chǎn)生與所述轉(zhuǎn)換組分相互作用的酸，以在所述經(jīng)曝光的抗蝕劑部分下方形成所述硬掩模的改性區(qū)域；

在曝光之后并且沒(méi)有對(duì)所述化學(xué)增強(qiáng)抗蝕劑材料進(jìn)行顯影的情況下從所述硬掩模的頂表面去除所述CAR材料；

在所述硬掩模的所述頂表面之上設(shè)置嵌段共聚物，其中，所述嵌段共聚物分離成所述硬掩模的非改性區(qū)域之上的第一聚合物區(qū)域和所述硬掩模的所述改性區(qū)域之上的第二聚合物區(qū)域；

去除所述第二聚合物區(qū)域以暴露所述硬掩模的所述改性區(qū)域；以及

蝕刻穿過(guò)所述硬掩模的所述改性區(qū)域，其中，所述第一聚合物區(qū)域起掩模的作用以防止去除所述硬掩模的所述非改性區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述嵌段共聚物是聚苯乙烯-b-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一聚合物區(qū)域是PS，并且所述第二聚合物區(qū)域是PMMA。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，用極性非質(zhì)子溶劑去除所述CAR材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述溶劑是丙酮、二甲基甲酰胺(DMF)或二甲基亞砜(DMSO)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，使用兩種或更多種不同的溶劑來(lái)去除所述CAR材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述硬掩模的所述改性區(qū)域是堿溶性的，并且所述硬掩模的其余部分是堿不溶性的。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述硬掩模的所述改性區(qū)域包括RCO-OH組分，并且所述硬掩模的其余部分包括RCO-OR組分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)換組分是限制在所述硬掩模內(nèi)的聚合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)換組分混合在所述材料內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述轉(zhuǎn)換組分分離到所述硬掩模的頂表面。

12.一種使用權(quán)利要求1所述的方法形成的材料疊置體，包括：

襯底層；

所述硬掩模，所述硬掩模形成在所述襯底層之上，其中，所述硬掩模包括多個(gè)圖案化穿孔，并且其中，所述硬掩模還包括所述轉(zhuǎn)換組分。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的材料疊置體，其中，當(dāng)所述轉(zhuǎn)換組分與酸相互作用時(shí)，所述轉(zhuǎn)換組分將所述硬掩模從堿不溶性材料轉(zhuǎn)化為堿溶性的。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述轉(zhuǎn)換組分被分離到所述硬掩模的頂表面。