[發(fā)明專利]具有增大的調(diào)諧范圍的CMOS變?nèi)荻O管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480083617.2
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN107112283B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·埃爾-塔納尼;P·帕坎;J·維德梅爾;A·梅直巴;范永平
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種變?nèi)荻O管，包括：

阱；

多個柵極，所述多個柵極形成在所述阱之上并且具有至所述阱的電容性連接，所述柵極包括所述柵極的第一子組以及所述柵極的第二子組，所述柵極的第一子組是相鄰且連續(xù)的并且耦合到激勵振蕩信號的正極，并且所述柵極的第二子組是相鄰且連續(xù)的并且耦合到所述激勵振蕩信號的負極；以及

多個源極/漏極結(jié)構(gòu)，所述多個源極/漏極結(jié)構(gòu)形成在所述阱之上并且具有至所述阱的電阻性連接以接收用于控制所述變?nèi)荻O管的電容的控制電壓，其中，所述多個源極/漏極結(jié)構(gòu)以及對應(yīng)的源極/漏極接觸部不形成在任何兩個所述柵極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變?nèi)荻O管，其中，所述第一子組的連續(xù)柵極耦合到所述正極而不存在耦合到負極的任何中間柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變?nèi)荻O管，其中，所述多個柵極中的每個柵極形成在FinFET結(jié)構(gòu)的相應(yīng)的相鄰鰭狀物之上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的變?nèi)荻O管，其中，所述柵極的所述第一子組包括位于所述變?nèi)荻O管的一側(cè)上的兩個相鄰鰭狀物上的兩個柵極，并且所述柵極的所述第二子組包括位于所述變?nèi)荻O管的另一側(cè)上的兩個其它的相鄰鰭狀物上的兩個柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變?nèi)荻O管，其中，所述多個柵極中的每個柵極形成在平面結(jié)構(gòu)的相應(yīng)管腳之上。

6.根據(jù)以上權(quán)利要求1或2所述的變?nèi)荻O管，其中，所述柵極的所述第一子組包括位于所述變?nèi)荻O管的一側(cè)上的兩個相鄰管腳上的兩個柵極，并且所述柵極的所述第二子組包括位于所述變?nèi)荻O管的另一側(cè)上的兩個其它的相鄰管腳上的兩個柵極。

7.根據(jù)以上權(quán)利要求1或2所述的變?nèi)荻O管，還包括：所述柵極的第三子組，所述柵極的第三子組是相鄰且連續(xù)的并且耦合到激勵振蕩信號的正極；以及所述柵極的第四子組，所述柵極的第四子組是相鄰且連續(xù)的并且耦合到所述激勵振蕩信號的負極，其中，所述第一子組和所述第二子組是相鄰的并且所述第三子組和所述第四子組是相鄰的。

8.根據(jù)以上權(quán)利要求1或2所述的變?nèi)荻O管，其中，所述第一子組和所述第二子組包括柵極的交替對，在所述柵極的交替對中極性在所述對之間交錯。

9.一種計算設(shè)備，包括：

電路板；

封裝管芯，其耦合到所述電路板，所述管芯包括激勵振蕩信號源、控制電壓源和變?nèi)荻O管，所述變?nèi)荻O管包括：

阱；

多個柵極，所述多個柵極形成在所述阱之上并且具有至所述阱的電容性連接，所述柵極包括所述柵極的第一子組以及所述柵極的第二子組，所述柵極的第一子組是相鄰且連續(xù)的并且耦合到來自所述激勵振蕩信號源的激勵振蕩信號的正極，并且所述柵極的第二子組是相鄰且連續(xù)的并且耦合到所述激勵振蕩信號的負極；以及

多個源極/漏極結(jié)構(gòu)，所述多個源極/漏極結(jié)構(gòu)形成在所述阱之上并且具有至所述阱的電阻性連接以從所述控制電壓源接收用于控制所述變?nèi)荻O管的電容的控制電壓，其中，所述多個源極/漏極結(jié)構(gòu)以及對應(yīng)的源極/漏極接觸部不形成在任何兩個所述柵極之間。

10.一種用于驅(qū)動變?nèi)荻O管的方法，包括：

驅(qū)動所述變?nèi)荻O管的多個柵極的第一子組上的正激勵振蕩信號，所述柵極的所述第一子組是相鄰且連續(xù)的，所述多個柵極形成在阱之上并且具有至所述阱的電容性連接；

驅(qū)動所述變?nèi)荻O管的所述多個柵極的第二子組上的負激勵振蕩信號，所述第二子組是相鄰且連續(xù)的；以及

驅(qū)動多個源極/漏極結(jié)構(gòu)上的控制柵極電壓以控制所述變?nèi)荻O管的電容，所述多個源極/漏極結(jié)構(gòu)形成在所述阱之上并且具有至所述阱的電阻性連接，其中，所述多個源極/漏極結(jié)構(gòu)以及對應(yīng)的源極/漏極接觸部不形成在任何兩個所述柵極之間。