[發明專利]磁電器件和互連件

有效

• 申請號: 201480083511.2
• 申請日: 2014-12-18
• 公開（公告）號: CN107004759B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: D·E·尼科諾夫;S·馬尼帕特魯尼;I·A·揚
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;G11C11/15
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種互連件，包括：

第一端部，其具有耦合到第一磁電材料層的鐵磁層；以及

第二端部，其具有耦合到所述鐵磁層的隧道氧化物層，其中，所述鐵磁層從所述第一端部延伸到所述第二端部，并且其中，在所述隧道氧化物層之上形成附加的鐵磁層。

2.根據權利要求1所述的互連件，其中，所述第一端部耦合到向所述第一磁電材料層提供輸入電壓的驅動器。

3.根據權利要求1所述的互連件，其中，所述第一磁電材料層是單層。

4.根據權利要求1所述的互連件，其中，所述第一磁電材料層是混合磁電材料層。

5.根據權利要求4所述的互連件，其中，所述混合磁電材料層包括對所述鐵磁層施加磁致伸縮的壓電材料。

6.根據權利要求1所述的互連件，其中，所述第二端部耦合到接收器以檢測與所述附加的鐵磁層相關聯的輸出電壓。

7.根據權利要求1所述的互連件，其中，所述第一磁電材料層由如下材料之一構成：BiFeO₃、BiMnFe₃、NiC1、Ni₃B₇O₁₃Cl或Cr₂O₃。

8.根據權利要求1所述的互連件，其中，所述鐵磁層是由如下材料中的一種或多種形成的層：CoFeB；Co、Fe、Ni或Gd合金；或Heusler合金。

9.根據權利要求1所述的互連件，其中，當在所述第一磁電材料層上向所述第一端部施加電壓時，疇壁橫越所述鐵磁層。

10.根據權利要求1所述的互連件，其中，所述第一端部或所述第二端部耦合到導電線的一個端部，以使得所述導電線的第二端部耦合到另一互連件，所述另一互連件包括：

具有耦合到第一磁電材料層的鐵磁層的第一端部；以及

具有耦合到所述鐵磁層的第二磁電材料層的第二端部，其中，所述鐵磁層從所述另一互連件的第一端部延伸到第二端部。

11.根據權利要求1所述的互連件，其中，所述第一端部或所述第二端部耦合到導電線的一個端部，以使得所述導電線的第二端部耦合到開關器件。

12.根據權利要求11所述的互連件，其中，所述開關器件是晶體管，并且其中，所述導電線的所述第二端部耦合到所述開關器件的柵極端子。

13.根據權利要求12所述的互連件，其中，所述開關器件的源極端子耦合到另一導電線，所述另一導電線耦合到另一互連件，其中，所述另一互連件包括：

具有耦合到第一磁電材料層的鐵磁層的第一端部；以及

具有耦合到所述鐵磁層的第二磁電材料層的第二端部，其中，所述鐵磁層從所述另一互連件的第一端部延伸到所述第二端部。

14.一種磁性邏輯門器件，包括：

鐵磁層；以及

耦合到所述鐵磁層的第一磁電材料層、第二磁電材料層、第三磁電材料層和隧道氧化物層，其中，在所述隧道氧化物層之上形成附加的鐵磁層。

15.根據權利要求14所述的磁性邏輯門器件，其中，所述鐵磁層被配置成環的形狀。

16.根據權利要求14所述的磁性邏輯門器件，其中，所述第一磁電材料層、所述第二磁電材料層和所述第三磁電材料層由如下材料之一構成：BiFeO₃、BiMnFe₃、NiCl、Ni₃B₇O₁₃Cl或Cr₂O₃。