[發明專利]N溝道氮化鎵晶體管

有效

• 申請號: 201480083467.5
• 申請日: 2014-12-18
• 公開（公告）號: CN106922200B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: H·W·田;S·達斯古普塔;M·拉多薩夫列維奇;S·K·加德納;S·H·宋;R·S·周
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊;王英

1.一種無線功率/充電設備發射模塊，包括：

線圈組件；以及

發射器，其中所述發射器包括至少一個n溝道氮化鎵晶體管，其包括：

氮化鎵層；

形成在所述氮化鎵層中的源極結構和漏極結構；

電荷誘導層，其包括在所述結構與所述漏極結構之間延伸的極化層；

2D電子氣，其位于所述氮化鎵層內；以及

柵極電極，其至少部分地延伸到所述極化層中，其中在所述柵極電極與所述氮化鎵層之間存在所述極化層的一部分，所述極化層的所述部分的厚度小于大約1nm。

2.如權利要求1所述的無線功率/充電設備發射模塊，還包括布置在所述柵極電極與所述極化層之間的柵極電介質。

3.如權利要求1所述的無線功率/充電設備發射模塊，其中所述極化層不在所述柵極電極與所述氮化鎵層之間的部分的厚度在大約5nm與10nm之間。

4.如權利要求1所述的無線功率/充電設備發射模塊，還包括布置在所述氮化鎵層與所述極化層之間的晶體過渡層。

5.一種無線功率/充電設備接收模塊，包括：

線圈組件；

整流器；以及

負載單元，其包括電壓調節器和電池，其中所述電壓調節器包括至少一個n溝道氮化鎵晶體管，其包括：

氮化鎵層；

形成在所述氮化鎵層中的源極結構和漏極結構；

電荷誘導層，其包括在所述結構與所述漏極結構之間延伸的極化層；

2D電子氣，其位于所述氮化鎵層內；以及

柵極電極，其至少部分地延伸到所述極化層中，其中在所述柵極電極與所述氮化鎵層之間存在所述極化層的一部分，所述極化層的所述部分的厚度小于大約1nm。

6.如權利要求5所述的無線功率/充電設備接收模塊，還包括布置在所述柵極電極與所述極化層之間的柵極電介質。

7.如權利要求5所述的無線功率/充電設備接收模塊，其中所述極化層不在所述柵極電極與所述氮化鎵層之間的部分的厚度在大約5nm與10nm之間。

8.如權利要求5所述的無線功率/充電設備接收模塊，還包括布置在所述氮化鎵層與所述極化層之間的晶體過渡層。

9.一種n溝道氮化鎵晶體管，包括：

氮化鎵層；

形成在所述氮化鎵層中的源極結構和漏極結構；

電荷誘導層，其包括在所述結構與所述漏極結構之間延伸的極化層；

2D電子氣，其位于所述氮化鎵層內；以及

柵極電極，其至少部分地延伸到所述極化層中，其中在所述柵極電極與所述氮化鎵層之間存在所述極化層的一部分，所述極化層的所述部分的厚度小于大約1nm。

10.如權利要求9所述的n溝道氮化鎵晶體管，還包括布置在所述柵極電極與所述極化層之間的柵極電介質。

11.如權利要求9或10所述的n溝道氮化鎵晶體管，其中所述極化層不在所述柵極電極與所述氮化鎵層之間的部分的厚度在大約5nm與10nm之間。

12.如權利要求9所述的n溝道氮化鎵晶體管，其中所述極化層選自由氮化鋁鎵、氮化鋁銦和氮化銦鎵組成的組。

13.如權利要求9所述的n溝道氮化鎵晶體管，還包括布置在所述氮化鎵層與所述極化層之間的晶體過渡層。

14.如權利要求13所述的n溝道氮化鎵晶體管，其中所述晶體過渡層選自由氮化銦和氮化鋁組成的組。

15.如權利要求9所述的n溝道氮化鎵晶體管，還包括：在大約120nm到大約400nm之間的柵極至漏極長度和在大約5nm到大約400nm之間的柵極至源極長度。