[發明專利]基于概率信息檢測半導體存儲器的被最頻繁存取的地址的方法

有效

• 申請號: 201480083360.0
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN107077883B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 趙相衍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

提供了一種管理半導體存儲器的方法，所述方法包括如下步驟：根據采樣時間段，從對于存儲器單元陣列的存取流對行地址進行采樣；基于概率信息，確定采樣的行地址是否是與被最頻繁存取的目標行對應的地址；對與目標行相鄰的行執行刷新操作。

技術領域

在此描述的發明構思涉及一種半導體存儲器，更具體地講，涉及一種管理半導體存儲器的方法。

背景技術

半導體存儲裝置可以是易失性的或非易失性的。易失性半導體存儲裝置提供高速讀寫操作，但是在斷電時丟失其存儲的數據。即使在斷電時也保持存儲的數據的非易失性半導體存儲裝置被用于不管電力是否被提供給非易失性半導體存儲裝置都存儲被保持的內容。

易失性存儲器的示例是動態RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、靜態RAM(SRAM)等。易失性存儲器中的一些應被周期性地刷新以防止數據的丟失。連接到與被頻繁存取的字線相鄰的字線的存儲器單元因電磁波而經歷電荷的變化(例如，充電和放電)，從而導致數據的損壞。為了改善諸如DRAM的半導體存儲器的可靠性，防止這種行撞擊(row hammering)是很重要的。

發明內容

對發明的公開

技術問題

本發明構思的示例實施例提供了一種用于檢測和管理被頻繁存取的行地址的方法。

問題的解決方案

技術解決方案

本發明構思的實施例的一方面旨在提供一種管理半導體存儲器的方法，所述方法包括如下步驟：根據采樣時間段，從對于存儲器單元陣列的存取流對行地址進行采樣；基于概率信息，確定采樣的行地址是否是與被最頻繁存取的目標行對應的地址；對與目標行相鄰的行執行刷新操作。

在示例性實施例中，確定采樣的行地址是否是與被最頻繁存取的目標行對應的地址的步驟包括：確定采樣的行地址是否存儲在第一緩沖器中；當作為確定的結果，采樣的行地址存儲在第一緩沖器中時，增加與采樣的行地址對應的計數。

在示例性實施例中，在對與目標行相鄰的行執行刷新操作的步驟中，刷新與和具有存儲在第一緩沖器中的計數中的最大計數的行地址對應的目標行相鄰的行。

在示例性實施例中，所述方法還包括步驟：當作為確定的結果，采樣的行地址沒有存儲在第一緩沖器中時，確定采樣的行地址是否存儲在第二緩沖器中。

在示例性實施例中，當作為確定的結果，采樣的行地址存儲在第二緩沖器中時，在參考時間段期間，不刷新與由采樣的行地址指示的行相鄰的行。

在示例性實施例中，所述方法還包括步驟：當作為確定的結果，采樣的行地址沒有存儲在第二緩沖器中時，根據參考概率將采樣的行地址存儲在第一緩沖器中。

在示例性實施例中，根據由隨機數產生器產生的概率與參考概率進行比較的結果，執行根據參考概率將采樣的行地址存儲在第一緩沖器中的步驟，并且，當由隨機數產生器產生的概率高于參考概率時，將行地址存儲在第一緩沖器中。

在示例性實施例中，如果刷新與目標行相鄰的行，則將目標行注冊到第二緩沖器中且從第一緩沖器刪除所述目標行。

在示例性實施例中，當第一緩沖器被采樣的行地址全部占用時，刪除存儲在第一緩沖器中的采樣的行地址中的具有最小計數的行地址，或者刷新與和存儲在第一緩沖器中的采樣的行地址中的具有最大計數的行地址對應的行相鄰的行。

在示例性實施例中，在參考時間段結束的時間點刷新與目標行相鄰的行。

在示例性實施例中，當第二緩沖器被目標行地址全部占用時，刪除存儲在第二緩沖器中的目標行地址中的最舊的目標行地址。