[發明專利]制作三維對象有效
| 申請號: | 201480082598.1 | 申請日: | 2014-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN107073824B | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 戴維·A·錢皮恩;小詹姆斯·埃爾默·阿博特 | 申請(專利權)人: | 惠普發展公司;有限責任合伙企業 |
| 主分類號: | B29C64/165 | 分類號: | B29C64/165;B29C64/393;B33Y10/00;B33Y30/00;B33Y50/02;B28B1/00 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志強 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制作 三維 對象 | ||
1.一種制作三維對象的方法,包括:
沉積建構材料的層;
根據三維模型數據的切片將聚結劑沉積到所述建構材料的層上;以及
用微波輻射照射所述聚結劑,使得所述聚結劑將所述微波輻射轉化成熱量以聚結所述建構材料,所述聚結劑被沉積在所述建構材料中,
其中,照射所述聚結劑包括:在用相對更強的第二微波輻射照射所述聚結劑以完全聚結所述建構材料之前,用第一微波輻射照射所述聚結劑以部分聚結所述建構材料,
其中,用所述第一微波輻射照射在每個獨立的建構材料的層中的所述聚結劑,并且用所述第二微波輻射來一起照射在所有的所述建構材料的層中的所述聚結劑。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述建構材料對于所述輻射是基本通透的。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,在沉積后續的建構材料和聚結劑的層之前照射每個建構材料的層中的所述聚結劑。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,在照射各層之前在每個建構材料的層中沉積所述聚結劑以用于整個所述三維對象。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述建構材料包括陶瓷、玻璃和金屬氧化物中的任意一種。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,所述聚結劑包括炭黑、石墨和金屬納米顆粒中的任意一種。
7.一種增材制造系統,包括:增材制造設備和微波輻射源;
所述增材制造設備包括處理器和聚結劑沉積器;
所述處理器控制所述聚結劑沉積器根據三維模型數據將聚結劑沉積到建構材料的層上;并且
所述處理器控制所述微波輻射源用微波輻射照射所述聚結劑,使得所述聚結劑將所述微波輻射轉化成熱量以聚結所述建構材料,所述聚結劑被沉積在所述建構材料中,
其中,照射所述聚結劑包括:在用相對更強的第二微波輻射照射所述聚結劑以完全聚結所述建構材料之前,用第一微波輻射照射所述聚結劑以部分聚結所述建構材料,
其中,用所述第一微波輻射照射在每個獨立的建構材料的層中的所述聚結劑,并且用所述第二微波輻射來一起照射在所有的所述建構材料的層中的所述聚結劑。
8.根據權利要求7所述的系統,其中,所述處理器控制所述沉積器和所述輻射源在照射聚結劑之前將所述聚結劑沉積在每個建構材料的層上,以用于整個三維對象。
9.根據權利要求7所述的系統,其中,所述建構材料包括陶瓷粉末。
10.一種用于產生三維對象的裝置,包括:
聚結劑沉積器;
微波輻射源;
處理器;以及
數據存儲設備,通信地聯接到所述處理器;
所述處理器執行計算機代碼來控制所述聚結劑沉積器以根據存儲在所述數據存儲設備中的三維模型數據將一些聚結劑沉積到建構材料的層上,所述建構材料對于所述微波輻射源是通透的;并且
所述處理器執行計算機代碼來控制所述微波輻射源照射所述聚結劑,使得所述聚結劑將所述微波輻射轉化成熱量以聚結所述建構材料,所述聚結劑被沉積在所述建構材料中,
其中,照射所述聚結劑包括:在用相對更強的第二微波輻射照射所述聚結劑以完全聚結所述建構材料之前,用第一微波輻射照射所述聚結劑以部分聚結所述建構材料,
其中,用所述第一微波輻射照射在每個獨立的建構材料的層中的所述聚結劑,并且用所述第二微波輻射來一起照射在所有的所述建構材料的層中的所述聚結劑。
11.根據權利要求10所述的裝置,其中,所述建構材料包括陶瓷、玻璃和金屬氧化物中的任意一種。
12.根據權利要求10所述的裝置,其中,所述聚結劑包括炭黑、石墨和金屬納米顆粒中的任意一種。
13.根據權利要求10所述的裝置,其中,每個聚結劑和建構材料的層在各層被照射之前被沉積以用于整個所述三維對象。
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