[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201480081885.0 | 申請日： | 2014-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN107155387B | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發明（設計）人： | 上村仁 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H02M7/487 | 分類號： | H02M7/487;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其具有：
多個第1自消弧元件，它們彼此串聯連接，具有控制端子及多個主電極端子；以及
鉗位單元，其分別與所述多個第1自消弧元件連接，在所述第1自消弧元件斷開時將所述第1自消弧元件的主電極端子間電壓鉗位至鉗位電壓，該鉗位電壓規定為小于或等于所述第1自消弧元件所具有的靜態耐壓的70％，
所述鉗位單元包含鉗位用自消弧元件，該鉗位用自消弧元件具有第1端子、第2端子、以及用于對所述第1、2端子進行通斷的第3端子，該鉗位用自消弧元件以下述方式插入至所述主電極端子和所述控制端子之間，即，所述第1端子與所述主電極端子側連接，將所述第2端子與所述控制端子側連接，
所述鉗位用自消弧元件進行自鉗位的電壓是所述第1自消弧元件的靜態耐壓的50％～70％。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述多個第1自消弧元件中的大于或等于2個自消弧元件構成第1橋臂，所述多個第1自消弧元件中的其他的大于或等于2個自消弧元件構成第2橋臂，所述第1橋臂及所述第2橋臂彼此串聯連接而構成1個支路，
所述鉗位單元設置于所述第1橋臂及所述第2橋臂各自的所述第1自消弧元件，
所述半導體裝置具有將多個所述支路進行了并聯連接的逆變器電路。
3.一種半導體裝置，其具有：
多個第1自消弧元件，它們彼此串聯連接，具有控制端子及多個主電極端子；以及
鉗位單元，其分別與所述多個第1自消弧元件連接，在所述第1自消弧元件斷開時將所述第1自消弧元件的主電極端子間電壓鉗位至鉗位電壓，該鉗位電壓規定為小于或等于所述第1自消弧元件所具有的靜態耐壓的70％，
所述鉗位單元包含分別與所述第1自消弧元件并聯連接且具有自鉗位功能的第2自消弧元件，
所述第2自消弧元件在規定為小于或等于所述第1自消弧元件所具有的靜態耐壓的70％的鉗位電壓時使鉗位功能起作用，
所述第2自消弧元件與所述第1自消弧元件相比導通電阻更高。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，
所述第2自消弧元件是SiC半導體元件。
5.根據權利要求3或4所述的半導體裝置，其中，
所述多個第1自消弧元件中的大于或等于2個自消弧元件構成第1橋臂，所述多個第1自消弧元件中的其他的大于或等于2個自消弧元件構成第2橋臂，所述第1橋臂及所述第2橋臂彼此串聯連接而構成1個支路，
所述鉗位單元設置于所述第1橋臂及所述第2橋臂各自的所述第1自消弧元件，
所述半導體裝置具有將多個所述支路進行了并聯連接的逆變器電路。
6.一種半導體裝置，其具有：
多個第1自消弧元件，它們彼此串聯連接，具有控制端子及多個主電極端子；以及
鉗位單元，其分別與所述多個第1自消弧元件連接，在所述第1自消弧元件斷開時將所述第1自消弧元件的主電極端子間電壓鉗位至鉗位電壓，該鉗位電壓規定為小于或等于所述第1自消弧元件所具有的靜態耐壓的70％，
所述鉗位單元包含分別與所述第1自消弧元件并聯連接且具有自鉗位功能的肖特基勢壘二極管，
所述肖特基勢壘二極管在規定為小于或等于所述第1自消弧元件所具有的靜態耐壓的70％的鉗位電壓時使鉗位功能起作用，
所述肖特基勢壘二極管與所述第1自消弧元件相比導通電阻更高。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，
所述多個第1自消弧元件中的大于或等于2個自消弧元件構成第1橋臂，所述多個第1自消弧元件中的其他的大于或等于2個自消弧元件構成第2橋臂，所述第1橋臂及所述第2橋臂彼此串聯連接而構成1個支路，
所述鉗位單元設置于所述第1橋臂及所述第2橋臂各自的所述第1自消弧元件，
所述半導體裝置具有將多個所述支路進行了并聯連接的逆變器電路。
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