[發(fā)明專利]真空處理系統(tǒng)中的多用途低溫冷卻器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480081726.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106605009A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沃爾夫?qū)げ际藏惪?/a>;于爾根·亨里奇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/56 | 分類號(hào): | C23C14/56;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國(guó),趙靜 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 真空 處理 系統(tǒng) 中的 多用途 低溫 冷卻器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及薄膜處理設(shè)備,具體涉及沉積系統(tǒng),并且更具體地涉及卷對(duì)卷(roll-to-roll;R2R)沉積系統(tǒng)及其操作方法。本發(fā)明的實(shí)施方式尤其涉及卷對(duì)卷系統(tǒng)中的真空系統(tǒng),更具體地涉及用于將薄膜涂布在柔性基板上的設(shè)備,和用于在沉積設(shè)備中提供真空系統(tǒng)的方法。確切地說(shuō),實(shí)施方式涉及處理設(shè)備、涂布設(shè)備,和用于處理基板的方法。
背景技術(shù)
柔性基板(諸如塑料膜或箔)的處理在封裝行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)和其他行業(yè)中存在較高需求。處理可以包括使用所需材料(諸如金屬,具體是鋁)涂布柔性基板。執(zhí)行此任務(wù)的系統(tǒng)一般包括耦接到處理系統(tǒng)的用以傳輸基板的處理滾筒(例如圓柱形輥),在處理滾筒上所述基板的至少一部分被處理。卷對(duì)卷涂布系統(tǒng)可以提供高產(chǎn)量的系統(tǒng)。
通常,蒸發(fā)工藝(諸如熱蒸發(fā)工藝)可以用于沉積金屬薄層,該金屬薄層可金屬化到柔性基板上。
由于生產(chǎn)商業(yè)上可行的部件所需要的高清潔度,因此提供高性能的真空系統(tǒng)。典型地,擴(kuò)散泵和機(jī)械泵被用于排空系統(tǒng)。由于清潔度的要求,典型地還需要低溫冷卻器(cryogenic chiller)。低溫冷卻器是基于通過(guò)將氣體結(jié)合在較冷表面上而從處理腔室去除氣體的原理。通常,處理腔室內(nèi)的氣體被凍結(jié)或吸附在較冷表面上,并因此從處理腔室中的剩余氣氛中去除,從而降低了腔室壓力。低溫冷凝是涉及低溫冷卻器的操作的主要機(jī)制。在低溫冷凝中,氣體分子在冷卻表面上冷凝。當(dāng)分子通過(guò)冷卻器的較冷表面時(shí),較冷表面降低了分子動(dòng)能,此時(shí),“粘附系數(shù)”變得可操作,并且分子會(huì)粘附到較冷表面。因此,分子從氣態(tài)中被去除,并且較少分子保留在氣氛中。這導(dǎo)致了腔室中的壓力降低。
因此,低溫系統(tǒng)是相當(dāng)復(fù)雜的,并且消耗相對(duì)大量的電能以提供高效低溫系統(tǒng)。
鑒于以上情況,提供一種處理系統(tǒng)是有益的,這種處理系統(tǒng)提供簡(jiǎn)化的低溫系統(tǒng),并且其中在減少所消耗的電能的同時(shí)仍提供高效的低溫系統(tǒng)。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上情況,提供如獨(dú)立權(quán)利要求1所述的處理設(shè)備、如權(quán)利要求13所述的涂布設(shè)備,和如權(quán)利要求14所述的用于處理基板的方法。進(jìn)一步的構(gòu)思、優(yōu)點(diǎn)和特征將從從屬權(quán)利要求、描述和附圖中變得顯而易見(jiàn)。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式,提供一種處理設(shè)備。處理設(shè)備包括:處理腔室,所述處理腔室用于在柔性基板上沉積材料;卷繞腔室,所述卷繞腔室用于引導(dǎo)柔性基板進(jìn)入和離開(kāi)處理腔室;低溫冷卻器;和低溫表面,所述低溫表面被連接到低溫冷卻器,其中低溫表面包括位于處理腔室中的第一主動(dòng)泵送表面和位于卷繞腔室中的第二主動(dòng)泵送表面。
根據(jù)另一實(shí)施方式,提供一種涂布設(shè)備。涂布設(shè)備包括:涂布腔室,所述涂布腔室用于在柔性基板上沉積材料;卷繞腔室,所述卷繞腔室用于引導(dǎo)柔性基板進(jìn)入和離開(kāi)涂布腔室;真空殼體,其中涂布腔室和卷繞腔室被提供在真空殼體中;低溫冷卻器;低溫表面,所述低溫表面被連接到低溫冷卻器,其中低溫表面包括位于涂布腔室中的第一主動(dòng)泵送表面和位于卷繞腔室中的第二主動(dòng)泵送表面;輥布置,所述輥布置用于引導(dǎo)柔性基板,其中輥布置可插入真空殼體中并且可從真空殼體中抽出,具體地說(shuō),其中被提供的輥布置將涂布腔室與卷繞腔室分開(kāi),并且其中輥布置被設(shè)置在可移動(dòng)支撐件上;以及設(shè)置在可移動(dòng)支撐件上的壁,用于以真空密封的方式封閉真空殼體。
根據(jù)進(jìn)一步實(shí)施方式,提供一種用于處理基板的方法。方法包括:將處理腔室排空至第一壓力,所述處理腔室用于在柔性基板上沉積材料;將卷繞腔室排空至第二壓力,所述卷繞腔室用于引導(dǎo)柔性基板進(jìn)入和離開(kāi)處理腔室,所述第二壓力高于第一壓力;和從低溫冷卻器向位于處理腔室中的第一主動(dòng)泵送表面提供冷卻流體并且從第一主動(dòng)泵送表面向位于卷繞腔室中的第二主動(dòng)泵送表面提供冷卻流體。
附圖說(shuō)明
為了可以詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征的方式,上文所簡(jiǎn)要概述的本發(fā)明的更具體的描述可以參考實(shí)施方式來(lái)進(jìn)行。附圖涉及本發(fā)明的實(shí)施方式,并且在下面進(jìn)行描述:
圖1示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的處理設(shè)備的示意圖;
圖2示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的在操作過(guò)程中的處理設(shè)備的剖面圖;
圖3示出如根據(jù)本文所述實(shí)施方式的用于處理設(shè)備或涂布設(shè)備的蒸發(fā)單元;
圖4示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的處理設(shè)備的一個(gè)實(shí)例;
圖5示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的處理設(shè)備的另一個(gè)實(shí)例。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





