[發明專利]具有使用穿硅過孔(TSV)的集成麥克風器件的管芯有效
| 申請號: | 201480081235.6 | 申請日: | 2014-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN106716636B | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | K·J·李;R·薩拉斯沃特;U·齊爾曼;V·B·拉奧;T·倫-拉森;N·P·考利 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04;H01L21/60;B81B7/02 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 使用 tsv 集成 麥克風 器件 管芯 | ||
本公開內容的實施例描述了具有使用穿硅過孔(TSV)和相關聯的技術和構造的集成麥克風設備的管芯。在一個實施例中,一種裝置包括具有第一側和被設置為與第一側相對的第二側的半導體襯底,形成在半導體襯底的第一側上的互連層,形成為穿過半導體襯底并且被配置為在半導體襯底的第一側與半導體襯底的第二側之間傳送電信號的穿硅過孔(TSV),以及形成在半導體襯底的第二側上并與TSV電氣耦合的麥克風器件。可以描述和/或要求保護其它實施例。
技術領域
本公開內容的實施例總體上涉及集成電路領域,并且更具體來說,涉及具有使用穿硅過孔(TSV)的集成麥克風器件的管芯以及相關聯的技術和構造。
背景技術
麥克風器件廣泛用于各種設備中,包括例如通信設備、助聽器、水下聲音辨別和噪聲控制。朝電子設備的小型化的工業趨勢當前驅動基于微機電系統(MEMS)的麥克風器件在半導體芯片中的集成。然而,由于半導體芯片上的有限空間和半導體芯片上的有源電路的脆弱本質,這種集成可能充滿困難。基于MEMS的麥克風與有源電路的集成可能向周圍環境打開窗口,其可能有助于將腐蝕物或其它有害材料引入有源電路。麥克風器件在半導體芯片的有源側上的集成可能需要較大的、成本較高的芯片。
附圖說明
通過以下具體實施方式結合附圖,將容易理解實施例。為了有助于該描述,類似的附圖標記標識類似的結構元件。在附圖的圖中,通過示例的方式而不是通過限制的方式示出了實施例。
圖1示意性地示出了根據一些實施例的采用晶圓形式和采用分割形式的示例性管芯的頂視圖。
圖2示意性地示出了根據一些實施例的集成電路(IC)組件的截面側視圖。
圖3示意性地示出了根據一些實施例的電容性換能器組件的截面側視圖。
圖4示意性地示出了根據一些實施例的麥克風組件的截面側視圖。
圖5示意性地示出了根據一些實施例的另一個麥克風組件的截面側視圖。
圖6示意性地示出了根據一些實施例的根據第一構造的麥克風組件的透視圖。
圖7示意性地示出了根據一些實施例的根據第二構造的麥克風組件的透視圖。
圖8示意性地示出了根據一些實施例的根據第三構造的麥克風組件的透視圖。
圖9示意性地示出了根據一些實施例的麥克風器件的示例性接收器電路。
圖10示意性地示出了根據一些實施例的包括延遲信號疊加的輸出數據的相控陣模擬處理的示例。
圖11示意性地示出了根據一些實施例的相控陣列麥克風的示例性側面構造。
圖12示意性地示出了根據一些實施例的使用相控陣列麥克風的示例性偏轉波束。
圖13示意性地示出了根據一些實施例的麥克風背板和膜片的示例性布局的透視圖。
圖14a-o示意性地示出了根據一些實施例的在不同的制造階段期間的麥克風組件的截面側視圖。
圖15示意性地示出了根據一些實施例的用于制造麥克風組件的方法的流程圖。
圖16示意性地示出了根據一些實施例的可以包括如本文中所描述的麥克風組件的示例性系統。
具體實施方式
本公開內容的實施例描述了具有使用穿硅過孔(TSV)的集成麥克風器件的管芯以及相關聯的技術和構造。在以下具體實施方式中,參考形成了本說明書的一部分的附圖,在整個附圖中,相同的附圖標記標示相同的部分,并且其中,通過說明性實施例的方式示出,在所述說明性實施例中可以實踐本公開內容的主題。要理解的是,可以利用其它實施例,并且可以在不脫離本公開內容的范圍的情況下作出結構或邏輯變化。因此,不應以限制性意義考慮以下具體實施方式,并且實施例的范圍由所附權利要求及其等同物限定。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英特爾公司,未經英特爾公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201480081235.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





