[發明專利]用于分離第一襯底的試樣固持器,裝置和方法有效
| 申請號: | 201480079964.8 | 申請日: | 2014-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN106716615B | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發明(設計)人: | 埃里希·塔爾納 | 申請(專利權)人: | 埃里希·塔爾納 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B32B43/00;H01L21/683 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 盧江;杜荔南 |
| 地址: | 奧地利圣*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 分離 第一 襯底 試樣 固持器 裝置 方法 | ||
1.一種用于通過連接層(3、3'、3、3'、3IV)的脆化來將第一襯底(2)與第二襯底(4)分離的方法,其中所述第一襯底通過所述連接層(3、3'、3、3'、3IV)與所述第二襯底(4)連接,其中所述脆化通過冷卻到0℃之下的溫度來進行,其中將用來冷卻所述連接層(3、3'、3、3'、3IV)的冷卻流體(18)用于脆化,其中整個襯底堆疊(1、1'、1、1'、1IV、1V)被冷卻,以便使所述連接層(3、3'、3、3'、3IV)整面脆化,其中所述連接層(3、3'、3、3'、3IV)由具有至少一個粘合劑層和至少一個分開層的多個層構成,其中在所述至少一個分開層的脆化臨界溫度之下,在所述至少一個分開層中形成裂縫,其中所述連接層(3、3'、3、3'、3IV)的冷卻在整面的脆化中形成僅穿過所述至少一個分開層的部分的裂縫。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述脆化通過冷卻到-100℃之下的溫度來進行。
3.根據權利要求2所述的方法,其中所述脆化通過冷卻到-150℃之下的溫度來進行。
4.根據權利要求1至3之一所述的方法,其中所述連接層(3、3'、3、3'、3IV)選自以下材料之一:
- 硅樹脂,
- 塑料,或者
- 蠟。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述塑料是熱塑性塑料或者熱固性塑料。
6.根據權利要求1至3之一所述的方法,其中所述連接層(3、3'、3、3'、3IV)選自彈性體。
7.根據權利要求1至3之一所述的方法,其中所述連接層(3、3'、3、3')選自以下材料中的一個或多個:
- 有機組分,
- 無機組分。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,所述有機組分是有機分子,所述無機組分是無機分子。
9.根據權利要求1至3之一所述的方法,其中所述連接層(3、3'、3、3')選自以下材料中的一個或多個:
- 金屬,
- 陶瓷。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,所述金屬是金屬離子和/或金屬合金。
11.根據權利要求1至3之一所述的方法,其中將具有冷卻面(9、9k'、9k、9k')的冷卻主體(9、9'、9、9'、9IV、9V)用于脆化,其中所述冷卻面具有位于0.1 W/(m*K)與5000 W/(m*K)之間的導熱率。
12.根據權利要求11所述的方法,其中所述冷卻主體(9、9'、9、9'、9IV、9V)被所述冷卻流體(18)流過。
13.根據權利要求11所述的方法,其中所述冷卻主體(9、9'、9、9'、9IV、9V)被用于冷卻。
14.根據權利要求11所述的方法,其中所述冷卻面具有位于1 W/(m*K)與2500 W/(m*K)之間的導熱率。
15.根據權利要求14所述的方法,其中所述冷卻面具有位于10 W/(m*K)與1000 W/(m*K)之間的導熱率。
16.根據權利要求15所述的方法,其中所述冷卻面具有位于100 W/(m*K)與450 W/(m*K)之間的導熱率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





