[發明專利]1?選擇器N?電阻器憶阻設備

在審

• 申請號: 201480077686.2
• 申請日: 2014-04-10
• 公開（公告）號: CN106796984A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 楊建華;G·吉布森;李智勇
• 申請（專利權）人: 慧與發展有限責任合伙企業
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王健,陳嵐

1.一種1-選擇器n-電阻器憶阻設備，包括：

第一電極；

選擇器，其中該選擇器的第一界面耦合到該第一電極；

多個憶阻器，其中每個憶阻器的第一界面耦合到該選擇器的第二界面；和多個第二電極，其中每個第二電極經由每個憶阻器的第二界面耦合到一個憶阻器。

2.根據權利要求1所述的憶阻設備，其中每個憶阻器耦合到一個第二電極。

3.根據權利要求1所述的憶阻設備，其中該選擇器是冠狀隧道勢壘選擇器。

4.根據權利要求3所述的憶阻設備，其中該選擇器包括形成隧穿勢壘的至少三層，其中每一層是半導體或絕緣的。

5.根據權利要求4所述的憶阻設備，其中該選擇器包括從由XN-XO-XN、XN-YO-ZN、XN-YO-XN、XO-XN-XO、XO-YN-XO、XO-YN-ZO、XO-YO-XO、XO-YO-ZO、XN-YN-ZN和XN-YN-XN構成的組中選擇的三層結構，其中X表示不同于Y和Z的化合物形成金屬。

6.根據權利要求5所述的憶阻設備，其中該化合物形成金屬從由Ta、Hf、Zr、Al、Co、Ni、Fe、Nb、Mo、W、Cu、Mg、Ca和Ti構成的組中選擇。

7.根據權利要求1所述的憶阻設備，其中該憶阻設備包括至少四個憶阻器。

8.根據權利要求1所述的憶阻設備，進一步包括使憶阻設備的非耦合組件電絕緣的層間電介質材料。

9.根據權利要求1所述的憶阻設備，其中該憶阻設備在感興趣的電壓范圍中以至少為10的因子展現出非線性。

10.根據權利要求1所述的憶阻設備，其中該憶阻設備展現出至少10³的耐久性。

11.根據權利要求1所述的憶阻設備，進一步包括耦合在選擇器和憶阻器之間的電流散布層。

12.一種計算設備，包括處理器和憶阻設備，其中該憶阻設備包括：

第一電極；

選擇器，其中該選擇器的第一界面耦合到該第一電極；

多個憶阻器，其中每個憶阻器的第一界面耦合到該選擇器的第二界面；和多個第二電極，其中每個第二電極經由每個憶阻器的第二界面耦合到一個憶阻器，并且其中每個憶阻器耦合到一個第二電極。

13.根據權利要求12所述的計算設備，其中該選擇器是冠狀隧道勢壘選擇器。

14.一種方法，包括：

將選擇器耦合到第一電極，其中該選擇器經由該選擇器的第一界面被耦合；

將多個憶阻器耦合到該選擇器的第二界面，其中每個憶阻器經由每個憶阻器的第一界面被耦合；

將多個第二電極耦合到該憶阻器，其中每個第二電極經由每個憶阻器的第二界面耦合到一個憶阻器，并且其中每個憶阻器耦合到一個第二電極；以及

將電激勵施加給憶阻設備。

15.根據權利要求14所述的方法，其中該選擇器是冠狀隧道勢壘選擇器，并且進一步包括增加憶阻設備的非線性。