[發明專利]具有增強的擊穿電壓的III-N晶體管有效
| 申請號： | 201480076340.0 | 申請日： | 2014-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN106030816B | 公開（公告）日： | 2019-10-18 |
| 發明（設計）人： | H·W·田;B·舒-金;S·達斯古普塔;R·周;S·H·宋;R·皮拉里塞泰;M·拉多薩夫列維奇 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 增強 擊穿 電壓 iii 晶體管 | ||
【說明書】：
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