[發(fā)明專利]量子點(diǎn)陣列和量子點(diǎn)超晶格的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480074944.1 | 申請(qǐng)日： | 2014-02-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105981149B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-11-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | S·金格;E·卡諾瓦斯迪亞茨;M·博恩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 豐田自動(dòng)車歐洲股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/368 | 分類號(hào)： | H01L21/368;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11038 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 歐陽(yáng)帆<國(guó)際申請(qǐng)>=PCT/EP2014 |
| 地址： | 比利時(shí)*** | 國(guó)省代碼： | 比利時(shí);BE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量子 陣列 晶格 制備 方法 | ||
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
