[發明專利]用于通過設計雙坩堝來增強向熔體的熱傳遞的晶體生長系統和坩堝有效
| 申請號： | 201480073958.1 | 申請日： | 2014-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN106414815B | 公開（公告）日： | 2019-01-11 |
| 發明（設計）人： | T·N·斯瓦米納坦;J·D·希爾克;S·塞佩達 | 申請（專利權）人： | 各星有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/10 | 分類號： | C30B15/10;C30B15/12;C30B29/06;C30B15/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 秘鳳華;馬江立 |
| 地址： | 中國香港九龍柯士*** | 國省代碼： | 中國香港;81 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 通過 設計 坩堝 增強 傳遞 晶體生長 系統 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于各星有限公司，未經各星有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201480073958.1/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
