[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光裝置的制造方法、拉曼放大器的制造方法、半導(dǎo)體激光裝置、拉曼放大器、以及光通信系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480070638.0
• 申請(qǐng)日: 2014-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105917534B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 長(zhǎng)谷川英明;橫內(nèi)則之;澤村壯嗣;入野聰;吉田順自
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 古河電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/14
• 分類號(hào): H01S5/14;G02F1/35
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 劉建

1.一種半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，

所述半導(dǎo)體激光裝置用在拉曼放大用的激發(fā)光源中，

所述半導(dǎo)體激光裝置具備：半導(dǎo)體激光元件，其具備半導(dǎo)體發(fā)光部、和有將該半導(dǎo)體發(fā)光部輸出的光反射的第一反射單元的光諧振器；和第二反射單元，其設(shè)置在該半導(dǎo)體激光元件的激光輸出側(cè)，

所述半導(dǎo)體激光裝置的制造方法的特征在于，

所述第一反射單元由設(shè)置在所述激光輸出側(cè)的輸出側(cè)反射單元、和設(shè)置在與所述激光輸出側(cè)相反側(cè)的后端側(cè)反射單元構(gòu)成，

通過(guò)控制從所述輸出側(cè)反射單元到所述第二反射單元的距離、和用包含所述半導(dǎo)體激光元件中的光的環(huán)繞時(shí)間τ、所述輸出側(cè)反射單元的反射率R₁以及所述第二反射單元的反射率R₂的下述(1)式定義的向所述半導(dǎo)體激光元件的有效的返回光量κ，來(lái)使LFF周期成為20ns以下，選擇LFF周期成為20ns以下的半導(dǎo)體激光裝置作為出現(xiàn)FBG模式和FP模式的高速切換的半導(dǎo)體激光裝置，作為在相干崩潰模式下進(jìn)行振蕩的半導(dǎo)體激光裝置使用，

為了找到出現(xiàn)FBG模式和FP模式的高速切換的半導(dǎo)體激光裝置而進(jìn)行所述選擇，一邊測(cè)定從所述半導(dǎo)體激光裝置輸出的激光的強(qiáng)度與時(shí)間的關(guān)系一邊進(jìn)行所述控制，

在測(cè)定從所述半導(dǎo)體激光裝置輸出的激光的強(qiáng)度與時(shí)間的關(guān)系時(shí)，在給定的時(shí)間內(nèi)，將強(qiáng)度降低最大處作為基準(zhǔn)峰值，將與強(qiáng)度的絕對(duì)值為所述基準(zhǔn)峰值的60％以上的最相鄰的峰值的間隔規(guī)定為所述LFF周期，

選擇所述規(guī)定的LFF周期成為20ns以下時(shí)的半導(dǎo)體激光裝置，決定為要使用的半導(dǎo)體激光裝置，

其中，κ＝(1/τ)×(1-R₁)×(R₂/R₁)^1/2·····(1)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，

將從所述半導(dǎo)體激光裝置輸出的激光的強(qiáng)度設(shè)定為50mW以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，

將從所述半導(dǎo)體激光裝置輸出的激光的強(qiáng)度設(shè)定為20mW以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法，其特征在于，

從所述半導(dǎo)體激光元件輸出的激光的波長(zhǎng)為1.3μm以上1.6μm以下的范圍，

從所述輸出側(cè)反射單元到所述第二反射單元的物理距離L(cm)、與所述有效的返回光量κ(1/ps)的關(guān)系滿足

L＞5333×κ-33

的關(guān)系。

5.一種拉曼放大器的制造方法，其特征在于，所述拉曼放大器具備：

用權(quán)利要求1～4的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置的制造方法制造出的半導(dǎo)體激光裝置、和被輸入從該半導(dǎo)體激光裝置輸出的激光的拉曼放大用的光纖，

將因所述激光而在所述光纖內(nèi)發(fā)生的受激布里淵散射所引起的所述激光的反射量的變動(dòng)率設(shè)定在10％以下。