[發明專利]基于非易失性存儲器的性能來優化通過電壓和初始編程電壓有效
| 申請號： | 201480068259.8 | 申請日： | 2014-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN105830165B | 公開（公告）日： | 2019-11-19 |
| 發明（設計）人： | 大和田憲;村井昭太 | 申請（專利權）人： | 桑迪士克科技有限責任公司 |
| 主分類號： | G11C16/34 | 分類號： | G11C16/34;G11C16/04;G11C11/56 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 王珊珊<國際申請>=PCT/US2014 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 非易失性存儲器 性能 優化 通過 電壓 初始 編程 | ||
【說明書】：
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