[發明專利]用于制造表膜的設備和方法以及表膜

在審

• 申請號: 201480066420.8
• 申請日: 2014-11-19
• 公開（公告）號: CN105793775A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: M·M·M·詹森;J·D·阿里亞斯埃斯皮納扎;J·P·H·德庫斯特
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24;G03F1/62;G03F1/66;G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種用于制造表膜的設備，所述設備包括：

用于對膜層施加應力的施加應力的組件；以及

用于支撐襯底的襯底支撐件，

所述施加應力的組件和所述襯底支撐件能夠相對移動，以便當所 述膜層被施加應力時使得所述襯底與所述膜層接觸。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述施加應力的組件被 設置用于將表膜膜層的第一側暴露至第一壓力并且將所述表膜膜層 的第二側暴露至不同于所述第一壓力的第二壓力。

3.根據權利要求2所述的設備，其中，所述第一壓力在大氣壓 力之上。

4.根據權利要求2或3所述的設備，其中，所述第二壓力基本 上等于大氣壓力。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的設備，進一步包括：壓 力監控器，被設置用于監控在所述第一壓力和所述第二壓力之間的壓 力差。

6.根據前述權利要求中任一項所述的設備，進一步包括：應力 監控器，被設置用于監控所述表膜膜層的、指示所述表膜膜層中的應 力的特性。

7.根據權利要求6所述的設備，其中，所述應力監控器是偏轉 監控器。

8.根據權利要求2至7中任一項所述的設備，其中，所述施加 應力的組件包括：腔室，所述腔室包括被設置為維持在所述第一壓力 的第一區域以及被設置為維持在所述第二壓力的第二區域。

9.根據權利要求8所述的設備，其中，所述第一區域包括氣體 入口。

10.根據權利要求8或9所述的設備，其中，所述第一區域包括 泄漏閥。

11.根據權利要求8至10中任一項所述的設備，其中，所述腔 室進一步包括被布置在所述腔室的在所述第一區域和所述第二區域 之間的內表面周圍的膜層支撐件。

12.根據權利要求11所述的設備，其中，所述膜層支撐件限定 在所述第一區域和所述第二區域之間的圓形開孔。

13.根據權利要求12所述的設備，其中，所述襯底支撐件包括 與所述圓形開孔平行并且同心設置的平坦圓形表面。

14.一種表膜，包括表膜膜層和表膜框架，其中所述表膜膜層在 張應力下被安裝在所述表膜框架上。

15.根據權利要求14所述的表膜，其中，所述表膜包括選自如 下組的材料：多晶硅、石墨烯、Nb/Mo/Si的多層、碳納米管的層、以 及由這些材料中的兩種或多種形成的多層。

16.根據權利要求15所述的表膜，其中，所述表膜包括在頂部 或者被夾設的封蓋層。

17.根據權利要求14所述的表膜，其中，所述張應力足以防止 在所述表膜膜層中的褶皺。

18.根據權利要求14至17中任一項所述的表膜，其中，所述張 應力至少是預定的張應力。

19.根據權利要求18所述的表膜，其中，所述預定的張應力是 基于以下項中至少一項：

所述表膜膜層的幾何結構；

由使用中的所述表膜的一部分引起的最大允許偏轉；

預期將由使用中的所述表膜遇到的最大差分壓力；以及

所述表膜膜層的楊氏模量。

20.根據權利要求19所述的表膜，其中，由使用中的所述表膜 膜層的一部分引起的所述最大允許偏轉是0.5毫米。

21.根據權利要求19或20所述的表膜，其中，預期由所述表膜 膜層遇到的所述最大差分壓力是2Pa。

22.根據權利要求19至21中任一項所述的表膜，其中，所述表 膜膜層是矩形的。

23.根據權利要求14至22中任一項所述的表膜，其中，所述表 膜膜層中的最大張應力大于150MPa。