[發(fā)明專利]熱障涂層的熔劑輔助激光去除有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480066087.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105792951B | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G·J·布魯克;A·卡梅爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西門子能源公司 |
| 主分類號(hào): | B08B7/00 | 分類號(hào): | B08B7/00;B23K26/18;B23K26/144;B23K26/34;B23K35/12;B23K35/36;F01D5/00;B23K101/34;B23K103/08 |
| 代理公司: | 11256 北京市金杜律師事務(wù)所 | 代理人: | 王茂華;呂世磊 |
| 地址: | 美國佛*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱障 涂層 熔劑 輔助 激光 去除 | ||
1.一種從金屬部件去除陶瓷涂層的方法,所述方法包括:
用熔劑材料覆蓋金屬部件上的陶瓷涂層的表面;
用激光能量使所述陶瓷涂層的至少一部分和所述熔劑材料熔化以形成熔體,其中所述陶瓷涂層的所述熔化發(fā)生至包括設(shè)置在所述陶瓷涂層與所述金屬部件之間的結(jié)合涂層的深度;
去除所述激光能量并允許熔渣由所述熔體形成;和
去除所述熔渣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述熔渣由熔化的陶瓷涂層、結(jié)合涂層和所述熔劑材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中使所述陶瓷涂層熔化發(fā)生至其完整局部深度,并且下面的所述金屬部件的下面的頂部層的熔化發(fā)生以使得在去除所述激光能量時(shí)所述熔渣形成在所述金屬部件的改造的表面之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述熔劑材料在所述陶瓷涂層的所述熔化之前作為粉末被預(yù)先放置在所述陶瓷涂層的所述表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述熔渣通過噴砂工藝去除。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述熔化發(fā)生至對(duì)應(yīng)于所述陶瓷涂層的厚度的深度,使得所述熔渣由熔化的陶瓷涂層和所述熔劑材料形成,并且去除所述熔渣使初始設(shè)置在所述陶瓷涂層與所述金屬部件之間的結(jié)合涂層的表面露出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述熔劑材料包括:
相對(duì)于所述熔劑材料的總重量,
按重量計(jì)等于或大于30%的從由LiF、LiAsF6、LiPF6、NaF、NaAlF6、Na3AlF6、NaSbF6、NaSbF6、NaAsF6、MgF2、AlF3、KF、KSbF6、KAsF6、K2NiF6、K2TiF6、K2ZrF6、CaF2、ScF3、TiF3、MnF2、MnF3、FeF2、FeF3、CoF3、CoF2、NiF2、CuF2、ZnF2、GaF3、RbF、SrF2、YF3、ZrF4、NbF5、AgF、AgF2、AsSbF6、InF3、SbF3、CsF、BaF2、BaCoF4、BaNiF4、HfF4、TaF5、LaF3、CeF3和CeF4構(gòu)成的組中選擇出的至少一種含氟化合物;
按重量計(jì)在0%與10%之間的從由SiO2、Na2Si4O9、Cr2O3、Li2SiO3、Na2SiO3、K2SiO3、CaSiO3、Ca2SiO4構(gòu)成的組中選擇出的至少一種;和
按重量計(jì)在1%與70%之間的Al2O3、ZrO2或其混合物。
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