[發(fā)明專利]電活性裝置和制造電活性裝置的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480066044.2
• 申請(qǐng)日: 2014-12-03
• 公開（公告）號(hào): CN105793965A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·卡爾維特;S·阿加拉普;L-Y·葉;J-C·伊龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽智電致變色公司
• 主分類號(hào): H01L21/3205
• 分類號(hào): H01L21/3205;H01L21/28
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 徐舒

1.一種電活性裝置，包括：

第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，以及夾持在所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo) 電層之間的一個(gè)或更多個(gè)電活性層，

其中，所述電活性裝置的一個(gè)或更多個(gè)相鄰層包括位于多個(gè)電活性層 的第一部分與第二部分之間的物理間隔，所述物理間隔限定所述第一部分 和第二部分中的每一個(gè)的相應(yīng)的錐形側(cè)壁，所述一個(gè)或更多個(gè)相鄰層包括 所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之一，以及

其中，所述電活性裝置的剩余層形成在所述物理間隔上的一個(gè)或更多 個(gè)相鄰層上，所述剩余層包括所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層中的另一 層。

2.一種用于制造電活性裝置的方法，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面上形成所述電活性裝置的一個(gè)或更多個(gè)相鄰層；

將劃線器具定位成入射至所述基板的其上形成有一個(gè)或更多個(gè)相鄰 層的側(cè)面；

利用所述劃線器具從所述基板去除所述電活性裝置的一個(gè)或更多個(gè) 相鄰層的一部分，由此在所述一個(gè)或更多個(gè)相鄰層的第一部分與第二部分 之間形成物理間隔，所述物理間隔限定所述第一部分和第二部分中的每一 個(gè)的相應(yīng)的錐形側(cè)壁；以及

在所述一個(gè)或更多個(gè)相鄰層的所述物理間隔上形成所述電活性裝置 的一個(gè)或更多個(gè)剩余層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電活性裝置或權(quán)利要求2所述的方法，其中， 所述相應(yīng)的錐形側(cè)壁具有基本線性輪廓或基本高斯輪廓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電活性裝置或權(quán)利要求2所述的方法，其中， 所述相應(yīng)的錐形側(cè)壁相對(duì)于所述基板的平面具有大約45度或更小的傾度， 使得每個(gè)側(cè)壁不具有陰影。

5.一種制造電活性裝置的方法，所述電活性裝置包括第一導(dǎo)電層、第 二導(dǎo)電層和夾持在所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的一個(gè)或更多 個(gè)電活性層，所述方法包括：

提供基板；

在所述基板的表面上形成所述電活性裝置的一個(gè)或更多個(gè)相鄰層，所 述一個(gè)或更多個(gè)相鄰層包括所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之一；

提供具有大約100皮秒或更短脈寬的激光器；

利用所述激光器從所述基板去除所述一個(gè)或更多個(gè)相鄰層的一部分； 以及

在所述一個(gè)或更多個(gè)相鄰層上形成所述電活性裝置的剩余層，所述剩 余層包括所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層中的另一者。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述激光器定位成入射至所述 基板的其上形成一個(gè)或更多個(gè)相鄰層的側(cè)面。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電活性裝置或方法，其中，所 述一個(gè)或更多個(gè)相鄰層還包括至少一個(gè)電活性層。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電活性裝置或方法，其中，所 述剩余層包括所述電活性裝置的電活性層中的每一層。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電活性裝置或方法，其中，所 述電活性裝置是電致變色裝置。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電活性裝置或方法，其中，所述一個(gè)或更 多個(gè)電活性層包括：

包括電致變色電極層和反電極層之一的第一電極；

包括所述電致變色電極層和所述反電極層中的另一者的第二電極；以 及

用于在所述第一電極與所述第二電極之間傳導(dǎo)離子的離子導(dǎo)體層。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電活性裝置或方法，其中， 所述一個(gè)或更多個(gè)相鄰層的厚度是所述電活性裝置的所述一個(gè)或更多個(gè) 剩余層的電活性層的厚度的至少大約兩倍或三倍。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至4和7至11中的任一項(xiàng)所述的電活性裝置或方 法，其中，所述物理間隔沿著相應(yīng)的錐形側(cè)壁不具有熔化點(diǎn)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至4和7至12中的任一項(xiàng)所述的電活性裝置或方 法，其中，包括所述物理間隔的導(dǎo)電層在不沿著相應(yīng)的錐形側(cè)壁分層的情 況下直接接觸所述基板。