[發(fā)明專利]放大器裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480064751.8
• 申請(qǐng)日: 2014-09-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105765859B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德烈亞斯·菲齊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ams有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/26
• 分類號(hào): H03F1/26;H03F3/45
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 朱勝;陳煒

1.一種放大器裝置，包括：

-第一差分級(jí)(DS1)，包括具有第一閾值電壓(Vth1)的至少兩個(gè)晶體管(M1，M1')，

-至少第二差分級(jí)(DS2)，包括具有與所述第一閾值電壓(Vth1)不同的第二閾值電壓(Vth3)的至少兩個(gè)晶體管(M3，M3')，

-所述第一差分級(jí)和所述第二差分級(jí)(DS1，DS2)的晶體管中的至少一個(gè)(M1，M3)分別具有共同耦接至所述放大器裝置的輸入的控制輸入，

-所述第一差分級(jí)(DS1)的至少一個(gè)晶體管(M1)和所述第二差分級(jí)(DS2)的一個(gè)晶體管(M3)布置在共同電流路徑中，所述共同電流路徑耦接至所述放大器裝置的輸出，

其中，所述第一差分級(jí)(DS1)的兩個(gè)晶體管(M1，M1')具有共同源極節(jié)點(diǎn)，并且其中，所述第二差分級(jí)(DS2)的兩個(gè)晶體管(M3，M3')具有共同源極節(jié)點(diǎn)，

其中，所述第二差分級(jí)(DS2)的兩個(gè)晶體管(M3，M3')的共同源極節(jié)點(diǎn)耦接至所述第一差分級(jí)(DS1)的晶體管中的一個(gè)晶體管(M1)的漏極端子，并且其中，所述第二差分級(jí)包括具有共同源極節(jié)點(diǎn)的另外的晶體管對(duì)，該共同源極節(jié)點(diǎn)耦接至所述第一差分級(jí)的晶體管中的另一個(gè)晶體管(M1')的漏極端子，從而形成級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放大器裝置，所述放大器裝置的輸入包括具有兩個(gè)端子的差分輸入，所述兩個(gè)端子中的第一端子耦接至所述第一差分級(jí)(DS1)的至少一個(gè)晶體管(M1)的控制輸入并耦接至所述第二差分級(jí)(DS2)的至少一個(gè)晶體管(M3)的控制輸入，以及所述差分輸入端子中的第二端子耦接至所述第一差分級(jí)(DS1)的至少另一晶體管的控制輸入并耦接至所述第二差分級(jí)(DS3)的至少另一晶體管的控制輸入。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器裝置，其中，所述共同電流路徑還包括負(fù)載。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放大器裝置，其中，所述負(fù)載包括下述中的至少一個(gè)：電阻器、電流源(ID)、電流鏡、級(jí)聯(lián)晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器裝置，還包括互補(bǔ)的第一差分級(jí)，所述互補(bǔ)的第一差分級(jí)包括與所述第一差分級(jí)的晶體管(M1，M1')相比具有相反導(dǎo)電類型的至少兩個(gè)晶體管(M2，M2')，并且所述放大器裝置包括至少互補(bǔ)的第二差分級(jí)，所述互補(bǔ)的第二差分級(jí)包括與所述第二差分級(jí)的晶體管(M3，M3')相比具有相反導(dǎo)電類型的至少兩個(gè)晶體管(M4，M4')。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器裝置，其中，所述第一差分級(jí)和/或所述第二差分級(jí)的一個(gè)晶體管的至少一個(gè)控制輸入連接至恒定偏置電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器裝置，其中，所述晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管類型或其他場(chǎng)效應(yīng)晶體管類型。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器裝置，其中，所述第一閾值電壓是由所述第一差分級(jí)的晶體管的柵氧化層的第一厚度來(lái)限定的，并且其中，所述第二閾值電壓是由所述第二差分級(jí)的晶體管的柵氧化層的第二厚度來(lái)限定的，所述第二厚度不同于所述第一厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器裝置，其中，所述第一閾值電壓是由所述第一差分級(jí)的晶體管的第一摻雜來(lái)限定的，并且其中，所述第二閾值電壓是由所述第二差分級(jí)的晶體管的第二摻雜來(lái)限定的，所述第二摻雜不同于所述第一摻雜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器裝置，其中，所述第一閾值電壓是由所述第一差分級(jí)的晶體管的第一體電壓來(lái)限定的，并且其中，所述第二閾值電壓是由所述第二差分級(jí)的晶體管的第二體電壓來(lái)限定的，所述第二體電壓不同于所述第一體電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放大器裝置，其中，所述第一閾值電壓和所述第二閾值電壓是由具有浮置柵極的各個(gè)雙柵晶體管來(lái)限定的。