[發明專利]外延晶片生長裝置

在審

• 申請號: 201480064479.3
• 申請日: 2014-09-03
• 公開（公告）號: CN105765113A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 姜侑振
• 申請（專利權）人: LG矽得榮株式會社
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 呂艷英;張穎玲

1.一種利用工藝氣流在晶片上生長外延層的外延晶片生長裝置，該裝置包括：

反應腔，在所述反應腔中，存在所述工藝氣流；

上部襯墊和下部襯墊，每個襯墊均環繞所述反應腔的側面；

基座，與所述反應腔同心布置且同心布置在所述反應腔中，所述基座配置用于支撐在該基座上的所述晶片；

預熱環，所述預熱環安置在所述下部襯墊的頂面上，所述預熱環與所述基座共面，并且所述預熱環與所述基座隔開；以及

至少一個突出部，所述至少一個突出部從所述預熱環向下延伸，其中，所述突出部與所述下部襯墊的圓周側表面具有圓周接觸面，其中，所述突出部配置用于將所述預熱環固定至所述下部襯墊，以使所述預熱環與所述基座之間沿所述預熱環保持均勻的間隔。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述突出部沿所述下部襯墊的圓周連續地延伸以形成環狀。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個突出部包括沿所述預熱環布置的至少三個突出部。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中，所述至少三個突出部包括8個突出部，其中，所述8個突出部中相鄰的突出部以45度的角距離彼此隔開。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個突出部包括沿所述預熱環布置的多個突出部，其中，所述多個突出部圍繞所述基座對稱地布置。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個突出部包括沿所述預熱環布置的多個突出部，其中，所述多個突出部圍繞所述基座以均勻的距離重復布置。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述圓周接觸面的曲率與所述下部襯墊的圓周側面的曲率相同。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述突出部與所述預熱環是一體的。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述突出部配置為附接至所述預熱環/從所述預熱環上拆除。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述預熱環具有在所述預熱環內界定出的溝槽，其中，所述溝槽與所述下部襯墊接觸。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述溝槽沿所述預熱環連續且周向地延伸。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中，所述溝槽沿所述預熱環以環狀延伸。

13.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述溝槽被分成多個子溝槽，所述多個子溝槽沿所述預熱環以均勻的距離重復且周向地布置。