[發(fā)明專利]位恢復(fù)系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480064456.2
• 申請(qǐng)日: 2014-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105765538B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·金;J·P·金;S·金
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F11/10
• 分類號(hào): G06F11/10;G06F12/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 李小芳

1.一種與位恢復(fù)有關(guān)的裝置，包括：

基于電阻的存儲(chǔ)器器件，其被配置成存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值以及與所述數(shù)據(jù)值相關(guān)聯(lián)的糾錯(cuò)碼ECC數(shù)據(jù)；

標(biāo)記隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM，其被配置成存儲(chǔ)將主存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器地址映射到高速緩存存儲(chǔ)器的字線的信息，其中所述高速緩存存儲(chǔ)器包括所述基于電阻的存儲(chǔ)器器件；以及

位恢復(fù)BR存儲(chǔ)器，其被配置成從另一存儲(chǔ)器接收與所述數(shù)據(jù)值相關(guān)聯(lián)的附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)并存儲(chǔ)所述附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)，其中所述BR存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)于易失性存儲(chǔ)器器件且所述另一存儲(chǔ)器為非易失性存儲(chǔ)器器件。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括包含所述BR存儲(chǔ)器和所述標(biāo)記RAM的總標(biāo)記存儲(chǔ)器。

3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述標(biāo)記RAM被配置成響應(yīng)于接收到所述主存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器地址而提供對(duì)應(yīng)于所述主存儲(chǔ)器的所述存儲(chǔ)器地址的所述高速緩存存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器地址或指示所述高速緩存存儲(chǔ)器未存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于所述主存儲(chǔ)器的所述存儲(chǔ)器地址的數(shù)據(jù)。

4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述基于電阻的存儲(chǔ)器器件包括級(jí)3L3高速緩存。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述BR存儲(chǔ)器被配置成響應(yīng)于所述標(biāo)記RAM接收到對(duì)與所述數(shù)據(jù)值相關(guān)聯(lián)的映射的請(qǐng)求而提供所述附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)。

6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述基于電阻的存儲(chǔ)器器件包括多條字線，其中所述數(shù)據(jù)值和所述ECC數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在所述多條字線中的第一字線處，并且其中所述BR存儲(chǔ)器為包括在所述基于電阻的存儲(chǔ)器器件中的所述多條字線中的每條字線存儲(chǔ)附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)。

7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)值包括多個(gè)字，其中所述ECC數(shù)據(jù)啟用對(duì)所述多個(gè)字中的每個(gè)字中的第一有錯(cuò)位的糾正，并且其中所述附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)啟用對(duì)所述多個(gè)字中的每個(gè)字中的第二有錯(cuò)位的糾正。

8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括第二BR存儲(chǔ)器，其中所述第二BR存儲(chǔ)器是所述另一存儲(chǔ)器，其中所述附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)被鏡像在所述BR存儲(chǔ)器與所述第二BR存儲(chǔ)器之間，并且其中存儲(chǔ)在所述第二BR存儲(chǔ)器處的所述附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)被用于響應(yīng)于包括所述BR存儲(chǔ)器和所述第二BR存儲(chǔ)器的電子設(shè)備通電而初始化所述BR存儲(chǔ)器。

9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括控制器，其用于生成與所述數(shù)據(jù)值相關(guān)聯(lián)的所述附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)并將所述附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述BR存儲(chǔ)器處和所述第二BR存儲(chǔ)器處。

10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述BR存儲(chǔ)器包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM器件且所述第二BR存儲(chǔ)器包括磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM器件。

11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述基于電阻的存儲(chǔ)器器件包括磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM器件。

12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述MRAM設(shè)備包括磁性隧道結(jié)MTJ器件。

13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括控制器，其被配置成基于由所述基于電阻的存儲(chǔ)器器件確定已發(fā)生將所述數(shù)據(jù)值寫入所述基于電阻的存儲(chǔ)器器件的錯(cuò)誤使所述附加糾錯(cuò)數(shù)據(jù)被刪除。

14.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置被集成到至少一個(gè)管芯中。

15.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括選自下組的電子設(shè)備：移動(dòng)電話、平板設(shè)備、計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理PDA、以及位置固定的數(shù)據(jù)單元，這些電子設(shè)備中集成有所述基于電阻的存儲(chǔ)器器件、所述標(biāo)記RAM、以及所述BR存儲(chǔ)器。