[發明專利]制造太陽能電池的方法

在審

• 申請號: 201480063945.6
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN105765666A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 菊池智惠子
• 申請（專利權）人: E.I.內穆爾杜邦公司
• 主分類號: H01B1/22
• 分類號: H01B1/22;H01L31/0224
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 江磊

1.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括下列步驟：

(a)制備基板，所述基板包括半導體層和至少在所述半導體層的背面上形成的鈍化層，其中所述背面上的所述鈍化層包括一個或多個開口；

(b)通過施涂Al漿，至少在所述背面上的所述鈍化層的開口中形成鋁(Al)導體圖案，其中所述Al漿包含：

(i)Al粉，

(ii)玻璃料，

(iii)碳化鋯(ZrC)粉，和

(iv)有機介質；以及

(c)焙燒所述Al導體圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其中如果所述Al漿中的所述Al粉為100重量份，則所述ZrC粉為0.01重量份至5重量份。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化層由氧化鈦、氧化鋁、氮化硅、氧化硅、氧化銦錫、氧化鋅或碳化硅形成。

4.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括下列步驟：

(a)制備基板，所述基板包括半導體層和至少在所述半導體層的背面上形成的鈍化層；

(d)在所述背面上的所述鈍化層上形成燒透型圖案；

(b)通過施涂Al漿，在所述燒透型圖案上形成鋁(Al)導體圖案，其中所述Al漿包含：

(i)Al粉，

(ii)玻璃料，

(iii)碳化鋯(ZrC)粉，和

(iv)有機介質；以及

(c)同時焙燒所述燒透型圖案和所述Al導體圖案以形成Al電極。

5.根據權利要求4所述的方法，其中僅在所述燒透型圖案與所述Al導體圖案重疊的區域內借助燒透來建立所述半導體層與所述Al電極之間的電接觸。

6.根據權利要求4所述的方法，其中如果所述Al漿中的所述Al粉為100重量份，則所述ZrC粉為0.01重量份至5重量份。

7.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括下列步驟：

(a)制備基板，所述基板包括半導體層和至少在所述半導體層的背面上形成的鈍化層；

(b)通過施涂Al漿，在所述背面上的所述鈍化層上形成鋁(Al)導體圖案，所述Al漿包含：

(i)Al粉，

(ii)玻璃料，

(iii)碳化鋯(ZrC)粉，和

(iv)有機介質；以及

(d)在所述Al導體圖案上形成燒透型圖案；

(c)同時焙燒所述Al導體圖案和所述燒透型圖案以形成Al電極。

8.根據權利要求7所述的方法，其中僅在所述燒透型圖案與所述Al導體圖案重疊的區域內借助燒透來建立所述半導體層與所述Al電極之間的電接觸。

9.根據權利要求7所述的方法，其中如果所述Al漿中的所述Al粉為100重量份，則所述ZrC粉為0.01重量份至5重量份。

10.一種太陽能電池，所述太陽能電池包括半導體層、至少在所述半導體層的背面上形成的鈍化層、位于所述鈍化層上的鋁電極，其中所述鋁電極局部連接到所述半導體層，并且其中所述鋁電極包含碳化鋯。