[發明專利]紫外和等離子體處理的聚合物膜

在審

• 申請號: 201480063583.0
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號: CN105764602A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 伊哈卜·尼扎爾·烏達;邵磊;卡琳娜·K·科佩茨
• 申請（專利權）人: 沙特基礎工業全球技術公司
• 主分類號: B01D69/02
• 分類號: B01D69/02;B01D67/00
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 王春偉;劉繼富

1.一種聚合物膜，其包含自具微孔聚合物(PIM)和第二聚合物的聚合物共混物，其中所述聚合物膜已經用紫外(UV)輻射和等離子體處理過。

2.根據權利要求1所述的聚合物膜，其中所述PIM聚合物是PIM-1。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的聚合物膜，其中所述第二聚合物是聚醚酰亞胺(PEI)聚合物、聚酰亞胺(PI)聚合物、聚醚酰亞胺-硅氧烷(PEI-Si)聚合物、或與權利要求1所述的PIM聚合物不同的第二PIM聚合物。

4.根據權利要求3所述的聚合物膜，其中所述第二聚合物是PEI聚合物。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的聚合物膜，其中所述膜能夠將第一氣體與第二氣體分離，或能夠將第一氣體從氣體混合物中分離。

6.根據權利要求5所述的聚合物膜，其中所述第一氣體是氫氣，所述第二氣體是氬氣。

7.根據權利要求5所述的聚合物膜，其中所述第一氣體是氫氣，所述氣體混合物包含氫氣、甲烷、氮氣和氬氣。

8.根據權利要求5所述的聚合物膜，其中所述第一氣體是氫氣，所述第二氣體是氮氣，或其中所述第一氣體是氮氣，所述第二氣體是甲烷，或所述第一氣體是氫氣，所述第二氣體是甲烷。

9.根據權利要求5所述的聚合物膜，其中所述第一氣體是氫氣，所述氣體混合物包含甲烷、乙烯和丙烯。

10.根據權利要求5所述的聚合物膜，其中所述第一氣體是C₂H₄，所述第二氣體是C₂H₆，或其中所述第一氣體是C₃H₆，所述第二氣體是C₃H₈，或其中所述第一氣體是N₂，所述第二氣體是CH₄，或其中所述第一氣體是H₂，所述第二氣體是CH₄，或其中所述第一氣體是H₂，所述第二氣體是N₂，或其中所述第一氣體是H₂，所述第二氣體是CO₂，或其中所述第一氣體是CO₂，其中所述第二氣體是CH₄，或其中所述第一氣體是H₂，所述第二氣體是Ar，或其中所述第一氣體是CO₂，所述第二氣體是Ar。

11.根據權利要求10所述的聚合物膜，其中在25℃的溫度和2atm的進給壓力下，所述聚合物膜具有超過Robeson上界平衡曲線的第一氣體相對于第二氣體的選擇性。

12.根據權利要求4至11中任一項所述的聚合物膜，其中所述膜包含80重量％至95重量％的PIM-1和5重量％至20重量％的PEI聚合物。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的聚合物膜，其中所述膜已經用UV輻射處理30至300分鐘、或60至300分鐘、或90至240分鐘、或120至240分鐘。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的聚合物膜，其中所述膜已經用包含活性物質的等離子氣體處理30秒至30分鐘、30秒至10分鐘、1至5分鐘或2至4分鐘。

15.根據權利要求14所述的聚合物膜，其中所述膜已經在15℃至80℃或約50℃的溫度下用等離子體處理過。