[發明專利]導電結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201480063415.1
• 申請日: 2014-11-20
• 公開（公告）號: CN105745610B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 林振炯;章盛晧;李一何;金起煥;金容贊;尹晶煥;樸贊亨
• 申請（專利權）人: LG化學株式會社
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 張皓;徐琳

1.一種導電結構體，其包括：

基板；

設置于所述基板上的導電層；以及

設置于所述導電層的至少一個表面上的暗化層，

其中，所述暗化層包含由Cu_xO_yN_z表示的硝酸銅，且在所述硝酸銅中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1，

其中，所述硝酸銅具有0.16以下的y+z值，

其中，所述暗化層在85℃和85RH的環境下經過120小時之后在380nm至780nm的波長范圍內具有20％以下的平均光反射率變化，以及

其中，所述暗化層的厚度大于或等于0.1nm且小于或等于60nm。

2.權利要求1所述的導電結構體，其中，在具有大于或等于380nm且小于或等于780nm的波長區域的光中，所述暗化層的消光系數k大于或等于0.2且小于或等于1.5。

3.權利要求1所述的導電結構體，其中，在具有大于或等于380nm且小于或等于780nm的波長區域的光中，所述暗化層的折射率n大于或等于2且小于或等于3.3。

4.權利要求1所述的導電結構體，其中，所述導電結構體的全反射率為20％以下。

5.權利要求1所述的導電結構體，其中，所述導電層的厚度為0.01μm至10μm。

6.權利要求1所述的導電結構體，其中，所述導電層為圖形化的導電圖形層，以及所述暗化層為圖形化的暗化圖形層。

7.權利要求6所述的導電結構體，其中，所述導電圖形層中的圖形線寬為10μm以下。

8.權利要求6所述的導電結構體，其中，所述導電結構體的表面電阻大于或等于1Ω/□且小于或等于300Ω/□。

9.權利要求1所述的導電結構體，其中，所述導電層包含選自金屬、金屬合金、金屬氧化物和金屬氮化物中的一種或兩種以上的材料，且所述材料具有1×10^-6Ω·cm至30×10^-6Ω·cm的電阻率。

10.權利要求1所述的導電結構體，其中，所述導電層包含選自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni，它們的氧化物和它們的氮化物中的一種或兩種以上。

11.權利要求1所述的導電結構體，其中，所述導電結構體的結構選自基板/暗化層/導電層的結構、基板/導電層/暗化層的結構、基板/暗化層/導電層/暗化層的結構、基板/導電層/暗化層/導電層的結構、基板/暗化層/導電層/暗化層/導電層/暗化層的結構、基板/導電層/暗化層/導電層/暗化層/導電層的結構、基板/暗化層/導電層/暗化層/導電層/暗化層/導電層的結構、基板/導電層/暗化層/導電層/暗化層/導電層/暗化層的結構、基板/暗化層/導電層/暗化層/導電層/暗化層/導電層/暗化層的結構以及基板/導電層/暗化層/導電層/暗化層/導電層/暗化層/導電層的結構。

12.一種包含權利要求1至11任一項所述的導電結構體的觸屏面板。

13.一種包含權利要求1至11任一項所述的導電結構體的顯示裝置。

14.一種包含權利要求1至11任一項所述的導電結構體的太陽能電池。