[發(fā)明專利]方法及具有包含金屬源極的存儲器單元的串的設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480063209.0 | 申請日： | 2014-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN105745749A | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陸振宇;羅杰·W·林賽;安德魯·比克斯勒;永軍·杰夫·胡;劉海濤 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 方法 具有 包含 金屬 存儲器 單元 設(shè)備 | ||
1.一種方法，其包括：
形成包含金屬的源極材料；及
在所述源極材料上方形成存儲器單元的串，存儲器單元的所述串包含與所述源極材料接觸的溝道材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，且其進一步包括：
在所述源極材料上方形成覆蓋材料；
對所述源極材料進行摻雜；及
在所述覆蓋材料上方形成選擇柵極材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成存儲器單元的所述串包括：
在所述選擇柵極材料上方形成交替控制柵極材料及絕緣體材料；
形成穿過所述交替控制柵極材料及絕緣體材料、所述選擇柵極材料及所述覆蓋材料的溝槽，所述溝槽包括形成在所述控制柵極材料中的所述溝槽的側(cè)壁上的凹口；
在所述交替控制柵極材料及絕緣體材料的所述溝槽的所述凹口以及所述側(cè)壁上方形成電介質(zhì)材料；
在所述凹口中形成浮動柵極材料；
在所述浮動柵極材料及所述選擇柵極材料的所述溝槽的所述側(cè)壁上方形成隧道電介質(zhì)材料；及
在所述溝槽中形成所述溝道材料使得所述溝道材料接觸所述源極材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述源極材料包括在襯底上方形成所述源極材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，且其進一步包括在所述襯底與所述源極材料之間形成氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，且其進一步包括在所述襯底與所述源極材料之間形成多晶硅材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述源極材料是金屬硅化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述金屬硅化物是以下一者：硅化鎢WSiX、硅化鉭TaSiX或硅化鉬MoSiX。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，且其進一步包括在所述交替控制柵極材料及絕緣體材料上方形成氮化物硬掩模。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電介質(zhì)材料包括氧化物-氮化物-氧化物ONO材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述隧道電介質(zhì)材料及所述絕緣體材料包括氧化物材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述覆蓋材料包括氧化物或多晶硅材料中的一者。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述選擇柵極材料、所述控制柵極材料、所述浮動柵極材料及所述溝道材料包括多晶硅。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，且其進一步包括在所述選擇柵極材料與所述交替控制柵極材料及絕緣體材料之間形成蝕刻停止材料。
15.一種方法，其包括：
在襯底上方形成金屬硅化物源極材料；
在所述金屬硅化物源極材料上方形成覆蓋材料；
對所述金屬硅化物源極材料進行摻雜；
在所述覆蓋材料上方形成多晶硅選擇柵極材料；及
在所述多晶硅選擇柵極材料上方形成存儲器單元的串，存儲器單元的所述串包含延伸穿過所述多晶硅選擇柵極材料及所述覆蓋材料以接觸所述源極材料的溝道材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中對所述金屬硅化物源極材料進行摻雜包括利用砷、硼、磷或鎵中的一者對所述金屬硅化物源極材料進行摻雜。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中對所述金屬硅化物源極材料進行摻雜包括以下一者：利用砷或磷將所述金屬硅化物材料摻雜為n型導電材料或利用硼或鎵將所述金屬硅化物材料摻雜而產(chǎn)生p型導電材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述溝槽是第二溝槽且其進一步包括在形成穿過所述蝕刻停止材料、所述選擇柵極材料及所述覆蓋材料的所述第二溝槽之前：
形成穿過所述交替控制柵極材料及所述氧化物材料以及所述蝕刻停止材料的第一溝槽；
在所述凹口中且沿所述第一溝槽的所述側(cè)壁在ONO材料上方形成多晶硅；以及去除沿所述第一溝槽的所述側(cè)壁的所述多晶硅。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中在形成所述第二溝槽時執(zhí)行去除沿所述第一溝槽的所述側(cè)壁的所述多晶硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
