[發(fā)明專利]氮化硅膜及其制造方法與其制造裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480063046.6
• 申請(qǐng)日: 2014-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN105765705B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 村上彰一;畑下晶保;高洋志;山脅正也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: SPP科技株式會(huì)社;大陽日酸株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/318
• 分類號(hào): H01L21/318;C23C16/42;H01L21/31
• 代理公司: 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279
• 代理人: 王正茂;叢芳

1.一種氮化硅膜，其特征在于，其是以有機(jī)硅烷作為原料之一且經(jīng)由電漿CVD法形成；

其中，所述原料不含無機(jī)硅烷，且在所述氮化硅膜中的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，碳原子的含量比為0.1以上未達(dá)0.4，

在所述硅原子含量與所述氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，氫原子的含量比未達(dá)0.6，且

所述有機(jī)硅烷為四(二甲基胺基)硅烷或三(二甲基胺基)硅烷。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化硅膜，其特征在于，在所述氮化硅膜中的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，氫原子的含量比未達(dá)0.5。

3.如權(quán)利要求1或2所述的氮化硅膜，其特征在于，當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度為1MV/cm時(shí)的漏電流值未達(dá)1.0×10^-6A/cm²。

4.如權(quán)利要求1或2所述的氮化硅膜，其特征在于，在所述氮化硅膜中的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，碳原子的含量比為0.13以上未達(dá)0.19。

5.一種電子裝置，其特征在于，其是以權(quán)利要求1至4中的任意一個(gè)所述的氮化硅膜作為絕緣膜、介電膜或鈍化膜使用。

6.一種氮化硅膜的制造方法，其特征在于，其是以有機(jī)硅烷作為原料之一且經(jīng)由電漿CVD法形成氮化硅膜，包含利用所述電漿CVD法，借由將所述有機(jī)硅烷、以及選自由氫氣與氨氣所組成的群組的至少一種的添加氣體進(jìn)行電漿化的工序，

其中，所述氮化硅膜的原料不含無機(jī)硅烷，且在所述氮化硅膜中的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，碳原子的含量比為0.1以上未達(dá)0.4，

在所述硅原子含量與所述氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，氫原子的含量比未達(dá)0.6，且

所述有機(jī)硅烷為四(二甲基胺基)硅烷或三(二甲基胺基)硅烷。

7.如權(quán)利要求6所述的氮化硅膜的制造方法，其特征在于，在所述氮化硅膜中的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，氫原子的含量比未達(dá)0.5。

8.如權(quán)利要求6或7所述的氮化硅膜的制造方法，其特征在于，在所述氮化硅膜中的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，碳原子的含量比為0.13以上未達(dá)0.19。

9.一種氮化硅膜的制造裝置，其特征在于，其是以有機(jī)硅烷作為原料之一且經(jīng)由電漿CVD法形成氮化硅膜，且所述原料不含無機(jī)硅烷，所述有機(jī)硅烷為四(二甲基胺基)硅烷或三(二甲基胺基)硅烷，并且通過氣體流量調(diào)節(jié)器調(diào)節(jié)氣體流量，所述氮化硅膜的制造裝置包含：

氣體導(dǎo)入部，其將有機(jī)硅烷以及選自由氫氣與氨氣所組成的群組的至少一種的添加氣體導(dǎo)入至腔室內(nèi)；

電漿生成部，其將所述有機(jī)硅烷與所述添加氣體在所述腔室內(nèi)進(jìn)行電漿化；

排氣流量調(diào)節(jié)器，其調(diào)節(jié)來自所述腔室的排氣流量；以及

控制部，其是控制所述氣體流量調(diào)節(jié)器及所述排氣流量調(diào)節(jié)器，使在載置于所述腔室內(nèi)的平臺(tái)上的待處理體上形成的所述氮化硅膜的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，碳原子的含量比為0.1以上未達(dá)0.4，且在所述硅原子含量與所述氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，氫原子的含量比未達(dá)0.6。

10.如權(quán)利要求9所述的氮化硅膜的制造裝置，其特征在于，在所述氮化硅膜中的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，氫原子的含量比未達(dá)0.5。

11.如權(quán)利要求9至10中的任意一個(gè)所述的氮化硅膜的制造裝置，其特征在于，在所述氮化硅膜中的硅原子含量與氮原子含量的總合設(shè)為1時(shí)，碳原子的含量比為0.13以上未達(dá)0.19。