[發明專利]半導體基板的處理液、處理方法、使用這些的半導體基板產品的制造方法

有效

• 申請號: 201480062820.1
• 申請日: 2014-11-14
• 公開（公告）號: CN105745739B
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 上村哲也;杉島泰雄;水谷篤史
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;G03F7/32;G03F7/42;H01L21/027
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 葛凡

1.一種半導體基板的處理液，其是從具有含有鍺(Ge)的含Ge層的半導體基板將該半導體基板上側的有機物去除、或者對其表面進行清洗的處理液，其中，

包含使處理液成為pH5～16的范圍的藥液成分、及用于對含Ge層進行防蝕的防蝕成分，

關于防蝕成分，使用選自下述式(1)或式(10)所表示的化合物及具有式(7)～式(9)所表示的重復單元的化合物的防蝕成分作為抑制劑型的防蝕成分，使用所述式(2)～式(6)及式(11)中任意一個所表示的化合物作為還原劑型的防蝕成分：

[化學式1]

R¹¹～R¹⁴、R²¹、R²²、R³¹～R³⁴、R⁴¹～R⁴⁵、R⁵¹～R⁵⁶、R⁶¹、R⁶²、R⁷¹、R⁸¹～R⁸³、R⁹¹、R⁹²、R^A1、R^B1、及R^B2分別獨立地表示包含氫原子、碳原子、氧原子、硫原子、或氮原子的基團；L^a表示連結基；M₁^-、M₂^-、及M₃^-表示抗衡陰離子；式(5)中的虛線表示單鍵及雙鍵中任意一個；在虛線為雙鍵時，并無R⁵²、R⁵⁴；式(6)中的虛線表示R⁶¹任選為氧原子或硫原子，與其所鍵合的碳原子一同構成羰基(C＝O)或硫羰基(C＝S)；L^R表示單鍵或連結基，

所述式(1)中，R¹¹～R¹⁴分別獨立地表示碳原子數為1～24的烷基、碳原子數為2～24的烯基、或碳原子數為6～14的芳基，其至少1個的碳原子數為2以上；

所述式(2)中，R²¹及R²²分別獨立地表示氫原子、碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、碳原子數為6～14的芳基、碳原子數為1～12的酰基、碳原子數為1～12的烷氧基、氨基羰基、肼基、肼基羰基、C(NR^N)NR^N₂(R^N是氫原子、碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、碳原子數為6～14的芳基)；

所述式(3)中，R³¹～R³⁴分別獨立地與R²¹及R²²同義；

所述式(4)中，R⁴¹～R⁴⁵分別獨立地表示氫原子、羥基、羧基、碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、或碳原子數為6～14的芳基；

所述式(5)中，R⁵¹～R⁵⁶分別獨立地表示氫原子、羥基、羧基、碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、或碳原子數為6～14的芳基；

所述式(6)中，R⁶¹及R⁶²分別獨立地表示氫原子、羥基、羧基、碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、碳原子數為6～14的芳基、或形成羰基的氧原子；

所述式(7)中，R⁷¹表示氫原子、碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、或碳原子數為6～14的芳基，L^a是亞甲基；

所述式(8)中，R⁸¹及R⁸²表示氫原子、碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、或碳原子數為6～14的芳基，L^R表示單鍵、碳原子數為1～12的亞烷基、碳原子數為2～12的亞烯基、碳原子數為6～14的亞芳基、或碳原子數為7～15的亞芳烷基，R⁸³表示氫原子或甲基；

所述式(9)中，R⁹¹及R⁹²表示氫原子、碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、或碳原子數為6～14的芳基，L^a是亞甲基；

所述式(10)中，R^A1表示碳原子數為1～24的烷基、碳原子數為2～24的烯基、或碳原子數為6～14的芳基；或者，

所述式(11)中，碳原子數R^B1及R^B2分別獨立地為碳原子數為1～12的烷基、碳原子數為2～12的烯基、或碳原子數為6～14的芳基、或氨基。