[發明專利]用于有機發光元件的光提取基底、其制造方法以及包括其的有機發光元件有效
| 申請號： | 201480062362.1 | 申請日： | 2014-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN105723540B | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發明（設計）人： | 李弦熙;尹洪;金序炫;樸敬旭;樸正佑;樸峻亨;白逸姬;尹根尙;李柱永;崔殷豪 | 申請（專利權）人： | 康寧精密素材株式會社 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,劉燦強 |
| 地址： | 韓國忠清*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 有機 發光 元件 提取 基底 制造 方法 以及 包括 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造用于有機發光裝置的光提取基底的方法，包括：
第一光提取層形成操作：形成第一光提取層，所述第一光提取層包括第一金屬氧化物和加入到第一金屬氧化物的摻雜劑；
第二光提取層形成操作：形成第二光提取層，所述第二光提取層包括第二金屬氧化物，第二金屬氧化物的原子的擴散速率比第一金屬氧化物的原子的擴散速率慢；以及
氣孔形成操作：通過對第一光提取層和第二光提取層進行熱處理使原子擴散而在第一光提取層內形成多個氣孔。
2.如權利要求1所述的方法，其中，在第一光提取層形成操作中使用Ga作為摻雜劑。
3.如權利要求2所述的方法，其中，第一光提取層形成操作包括用按重量計范圍在第一金屬氧化物的量的4.1％至11.3％的含量的Ga摻雜第一金屬氧化物。
4.如權利要求3所述的方法，其中，第一光提取層形成操作包括通過常壓化學氣相沉積在基底上沉積ZnO。
5.如權利要求4所述的方法，其中，第二光提取層形成操作包括通過電子束加工或濺射在第一光提取層上沉積Al2O3。
6.如權利要求1所述的方法，其中，氣孔形成操作包括在范圍為600℃至800℃的溫度下對第一光提取層和第二光提取層進行熱處理。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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