[發明專利]光電轉換裝置有效
| 申請號: | 201480062323.1 | 申請日: | 2014-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN105723521B | 公開(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發明(設計)人: | 金倉淳志;古久保有哉;仲山徹 | 申請(專利權)人: | 京瓷株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 齊秀鳳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 轉換 以及 裝置 | ||
1.一種光電轉換裝置,構成為具備具有光電轉換層的光探測層,其特征在于,
所述光電轉換層具備含量子點層,所述含量子點層具有多個量子點以及包圍該量子點的阻擋部,在所述含量子點層的厚度方向的剖面,多個所述量子點沿著所述含量子點層的表面相鄰排列,提取該相鄰的3個量子點,并描繪了連結位于兩側的2個量子點的所述表面側的端部的直線時,位于中央的量子點從所述直線向所述表面側突出了該位于中央的量子點的直徑的1/2以上而構成突出量子點,所述光電轉換層具有多個所述突出量子點,并且,在俯視所述含量子點層的表面時,多個所述突出量子點呈曲線狀排列,
所述光探測層構成為在所述光電轉換層的表面配置集電層,該集電層在所述光電轉換層側的表面具有凹部以及凸部。
2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置,其特征在于,
在所述光電轉換層中,在俯視所述含量子點層的表面時,所述突出量子點間隔配置。
3.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
在所述光電轉換層中,所述含量子點層中的所述量子點和所述突出量子點具有相同的主要成分。
4.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
在所述光電轉換層中,所述含量子點層中的所述量子點和所述突出量子點由所述阻擋部包覆,由所述量子點和所述阻擋部、以及所述突出量子點和所述阻擋部分別形成了核殼型的復合粒子。
5.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
在所述光電轉換層中,所述含量子點層中的所述量子點通過范德華力而結合。
6.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
在所述光電轉換層中,在所述含量子點層中的所述量子點間具有空隙。
7.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
在所述光電轉換層中,所述含量子點層中的所述量子點的平均粒徑在所述含量子點層的厚度方向上不同。
8.根據權利要求7所述的光電轉換裝置,其特征在于,
所述含量子點層在其厚度方向上具有上層、中央層以及下層,所述上層以及所述下層的平均粒徑小于所述中央層的平均粒徑。
9.根據權利要求1所述的光電轉換裝置,其特征在于,
所述光探測層還具備第1半導體層以及第2半導體層。
10.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
所述含量子點層具有:具有p型的量子點的含量子點層、和具有n型的量子點的含量子點層。
11.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
所述光電轉換層被設置為所述突出量子點位于入射光側。
12.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
所述集電層的厚度方向上的所述凸部的剖面為山切割狀。
13.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
在從所述光電轉換層側俯視所述集電層時,所述凸部呈曲線狀排列。
14.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
配置為所述集電層的所述凹部與所述光電轉換層的所述突出量子點咬合。
15.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
所述集電層被配置為夾持所述光電轉換層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





