[發(fā)明專利]柔性基底上的雙面有機(jī)光探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480061806.X | 申請(qǐng)日: | 2014-11-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105723243B | 公開(公告)日: | 2019-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G·福格特米爾;R·斯特德曼布克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01T1/20 | 分類號(hào): | G01T1/20 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 李光穎;王英 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國(guó)省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 基底 雙面 有機(jī) 探測(cè)器 | ||
本發(fā)明涉及一種用于探測(cè)由輻射源(20)發(fā)射的電離輻射的探測(cè)模塊(22),包括:閃爍體元件(24),其用于響應(yīng)于入射電離輻射而發(fā)射閃爍光子;第一光敏元件(32a),其被光學(xué)耦合到所述閃爍體元件(24),以用于捕捉閃爍光子(30);以及柔性基底(34),其用于支撐所述第一光敏元件(32a)。本發(fā)明還涉及一種包括這樣的探測(cè)模塊(22)的成像設(shè)備(10)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于探測(cè)由輻射源發(fā)射的電離輻射的探測(cè)模塊。本發(fā)明還涉及一種用于提供對(duì)象的圖像的成像系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在醫(yī)學(xué)診斷應(yīng)用中,一個(gè)重要問題是基于對(duì)電離輻射的探測(cè)來生成患者的圖像。在該背景下,存在各種成像方法和系統(tǒng),例如計(jì)算機(jī)斷層攝影(CT)、正電子發(fā)射斷層攝影(PET)和單光子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層攝影(SPECT)。這樣的成像系統(tǒng)利用了探測(cè)模塊,所述探測(cè)模塊允許基于探測(cè)到的輻射來生成圖像。因此,探測(cè)模塊通常包括閃爍探測(cè)器(有時(shí)也被稱為閃爍體)和光傳感器(有時(shí)也稱為被光探測(cè)器),所述閃爍探測(cè)器具體是閃爍體晶體或閃爍體晶體的陣列。閃爍體響應(yīng)于來到的電離輻射(即沖擊粒子,例如電子、α粒子、離子或高能光子等)而閃爍,即發(fā)射閃光(閃爍光子)。所發(fā)射的光子被光傳感器捕捉。基于在哪里、何時(shí)以及多少閃爍光子被捕捉,能夠確定閃爍檢測(cè)器上的入射電離輻射的時(shí)間和空間位置和/或強(qiáng)度。接著,生成與電離輻射交互的目標(biāo)或成像對(duì)象的圖像變?yōu)榭赡堋?/p>
由此,一種技術(shù)涉及生成與所捕捉的電離輻射強(qiáng)度相對(duì)應(yīng)的圖像。能量解析成像的一個(gè)難題是入射電離輻射的可能的高能量帶寬。在CT成像的背景下,雙層(doubledecker)技術(shù)的開發(fā)是解決能量解析CT成像問題的一個(gè)選項(xiàng)。其他技術(shù)例如是計(jì)數(shù)探測(cè)器。這樣的雙層探測(cè)器可以使用例如安裝在彼此的頂部的兩個(gè)閃爍體晶體的堆疊。然后可以通過安裝于一個(gè)像素的(兩個(gè)閃爍體晶體)的側(cè)面上的雙光電二極管(光傳感器)來完成對(duì)所發(fā)射的閃爍光的探測(cè)。兩個(gè)光電二極管中的每個(gè)都旨在收集相鄰閃爍體元件的光。
在WO 2012/127403 A2中,公開了一種方法,所述方法包括獲得具有兩個(gè)相對(duì)主表面的光傳感器基底。所述兩個(gè)相對(duì)主表面之一包括至少一個(gè)光傳感器元件的至少一個(gè)光傳感器行,并且所獲得的光傳感器基底的厚度等于或大于一百微米。所述方法還包括將閃爍體陣列光學(xué)耦合到光傳感器基底。閃爍體陣列包括至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體元件的至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體行,并且所述至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體行被光學(xué)耦合到所述至少一個(gè)光傳感器行,并且所述至少一個(gè)互補(bǔ)閃爍體元件被光學(xué)耦合到所述至少一個(gè)光傳感器元件。該方法還包括減薄被光學(xué)耦合到閃爍體的光傳感器基底,產(chǎn)生被光學(xué)耦合到所述閃爍體且厚度為小于一百微米的量級(jí)的經(jīng)減薄的光傳感器基底。
US 2013/0292574 A1公開了一種包括輻射敏感探測(cè)器陣列的成像系統(tǒng)。可以在包括安裝在基底上的光電二極管二維陣列的光傳感器陣列層上提供閃爍體陣列層。報(bào)告了光電二極管可以直接被安裝在膜上,所述膜例如塑料片或聚酰胺片。備選地,可以在柔性塑料片上印刷薄的光電二極管陣列。
US 2008/0011960 A1涉及一種具有兩個(gè)面板的放射照相成像裝置,兩個(gè)面板中的每個(gè)包括基底、信號(hào)感測(cè)元件和讀出設(shè)備的陣列、鈍化層以及閃爍磷光體層。
WO 2007/039840 A2涉及一種具有多個(gè)探測(cè)器元件的X射線探測(cè)器陣列。每個(gè)探測(cè)器元件包括閃爍體、被光學(xué)耦合到閃爍體的光探測(cè)器以及電路板。電路板可以是包括聚合物基板的柔性電路。然而,這樣的探測(cè)器的一個(gè)問題在于,由于光傳感器的有限地面積與閃爍體元件接觸,所以效率,即光收集效率,可能受到限制。對(duì)此的可能補(bǔ)償包括在晶體的另一側(cè)應(yīng)用適合的反射材料,所述材料在材料和組裝成本方面是不利的。此外,對(duì)電離輻射敏感的面積可能被減小。再者,由將光傳感器光學(xué)耦合到垂直閃爍體堆疊以及將光傳感器封裝并連接到塊基底而導(dǎo)致的光學(xué)串?dāng)_(即利用旨在用于對(duì)一個(gè)閃爍體元件進(jìn)行讀出的光敏元件之外的另一個(gè)光敏元件來探測(cè)由該閃爍體元件發(fā)射的閃爍光子)可能導(dǎo)致更昂貴的高級(jí)封裝工藝。
發(fā)明內(nèi)容
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