[發(fā)明專(zhuān)利]用于薄膜光伏裝置的無(wú)機(jī)鹽-納米粒子墨水及相關(guān)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480061315.5
• 申請(qǐng)日: 2014-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105705596A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉祖剛;卡里·艾倫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 納米技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C09D11/52
• 分類(lèi)號(hào): C09D11/52;H01B1/00;H01L31/032;C09D11/03
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳勝周

1.一種組合物，所述組合物包含：

溶劑，

具有式Cu_wIn_xGa_1-xSe_yS_2-y的納米粒子群，其中0.1≤w≤2、0≤x≤1并且0≤y≤2，和

無(wú)機(jī)鹽。

2.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述納米粒子的直徑為約2至約10nm。

3.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述納米粒子包含吸附至所述納米粒子表面的帽化 劑，其中所述帽化是硫醇或硒醇。

4.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述無(wú)機(jī)鹽包含Cu、In、Ga、S和Se中的一種或多種。

5.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述無(wú)機(jī)鹽包含Na或Sb。

6.權(quán)利要求1所述的組合物，其中所述無(wú)機(jī)鹽以相對(duì)于所述納米粒子的摩爾數(shù)約0.01- 10mol％的濃度存在。

7.權(quán)利要求1所述的組合物，所述組合物還包含抑泡劑、增稠劑、分散劑、表面張力調(diào)節(jié) 劑或粘度調(diào)節(jié)劑中的一種或多種。

8.權(quán)利要求1所述的組合物，所述組合物還包含油酸。

9.一種形成半導(dǎo)體層的方法，所述方法包括：

提供墨水，所述墨水包含溶劑、具有式Cu_wIn_xGa_1-xSe_yS_2-y的納米粒子群和無(wú)機(jī)鹽，其中 0.1≤w≤2、0≤x≤1并且0≤y≤2，

將所述墨水涂敷至基板以在所述基板上形成膜，

將所述膜退火以形成所述半導(dǎo)體層。

10.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述納米粒子的直徑為約2至約10nm。

11.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述無(wú)機(jī)鹽包含Cu、In、Ga、S和Se中的一種或多種。

12.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述無(wú)機(jī)鹽包含Na或Sb。

13.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述無(wú)機(jī)鹽以相對(duì)于所述納米粒子的摩爾數(shù)約0.05- 10mol％的濃度存在。

14.權(quán)利要求9所述的方法，其中將所述墨水涂敷至基板包括旋涂、刮刀涂布或噴墨打 印。

15.權(quán)利要求9所述的方法，其中退火包括將所述基板和所述膜在約250至約300℃的溫 度進(jìn)行加熱。

16.權(quán)利要求9所述的方法，其中退火包括將所述基板和所述膜在第一溫度加熱第一時(shí) 間長(zhǎng)度，隨后將所述基板和所述膜在第二溫度加熱第二時(shí)間長(zhǎng)度。

17.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述納米粒子包含S，并且其中退火包括將所述基板和 所述膜在Se存在下進(jìn)行加熱。

18.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述基板包含氧化銦錫(ITO)、鉬涂覆的原玻璃或鉬涂 覆的鈉鈣玻璃(SLG)。

19.一種形成PV吸收層的方法，所述方法包括：

提供第一墨水組合物，所述第一墨水組合物包含溶劑、具有式Cu_wIn_xGa_1-xSe_yS_2-y的第一 納米粒子群和無(wú)機(jī)鹽，其中0.1≤w≤2、0≤x≤1并且0≤y≤2；

在基板上形成所述第一墨水組合物的膜；

將所述第一墨水組合物的膜進(jìn)行退火；

提供第二墨水組合物，所述第二墨水組合物包含溶劑、具有式Cu_wIn_xGa_1-xSe_yS_2-y的第二 納米粒子群，其中0.1≤w≤2、0≤x≤1并且0≤y≤2；

在基板上形成所述第二墨水組合物的膜；以及

將所述第一墨水組合物的膜進(jìn)行退火。