[發(fā)明專利]多芯光纖

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480061179.X
• 申請日: 2014-10-20
• 公開（公告）號: CN105705974A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 道格拉斯·盧埃林·巴特勒;安德烈亞斯·馬蒂斯;埃里克·斯蒂芬·登·哈弗
• 申請（專利權(quán)）人: CCS技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/26
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;吳啟超

1.一種多芯光纖，包括：

多個光芯，沿著所述多芯光纖的縱軸在所述多芯光纖中延伸并且包括第一 光芯和不同于所述第一光芯的至少一個第二光芯；

多個劈裂，從所述多芯光纖表面延伸到所述多芯光纖中并且包括第一劈裂 和不同于所述第一劈裂的至少一個第二劈裂；

其中所述第一劈裂包括表面，其中所述第一光芯結(jié)束于所述第一劈裂的所 述表面處，并且所述第一劈裂的所述表面經(jīng)配置以偏轉(zhuǎn)在所述第一光芯中傳輸 的光，使得所述光在所述第一劈裂的所述表面處在所述多芯光纖外耦合；并且

其中所述至少一個第二劈裂包括表面，其中所述至少一個第二光芯結(jié)束于 所述至少一個第二劈裂的所述表面處，其中所述至少一個第二劈裂的所述表面 經(jīng)配置以偏轉(zhuǎn)在所述至少一個第二光芯中傳輸?shù)墓猓沟盟龉庠谒鲋辽僖? 個第二劈裂的所述表面處在所述多芯光纖外耦合，并且所述第一劈裂與所述至 少一個第二劈裂沿著所述多芯光纖的所述縱軸交錯。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯光纖，其中所述第一劈裂與所述至少一個第 二劈裂經(jīng)布置而與所述多芯光纖的末端隔開不同距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多芯光纖，其中所述至少一個第二劈裂布置得比 所述劈裂靠近所述多芯光纖的所述末端，其中所述第一光芯結(jié)束于所述至少一 個第二劈裂中的至少一個的所述表面處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的多芯光纖，其中所述第一劈 裂和所述至少一個第二劈裂的所述相應(yīng)表面相對于所述多芯光纖的所述光芯 的方向傾斜在30°到60°之間的角度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的多芯光纖，其中所述第一劈 裂的所述表面經(jīng)塑形而使得在所述第一光芯中傳輸?shù)乃龉庠诓煌谒龆? 芯光纖的所述縱軸的方向的方向上在所述第一劈裂的所述表面處偏轉(zhuǎn)后聚焦， 其中所述至少一個第二劈裂的所述表面經(jīng)塑形而使得在所述至少一個第二光 芯中傳輸?shù)乃龉庠诓煌谒龆嘈竟饫w的所述縱軸的所述方向的所述方向 上在所述至少一個第二劈裂的所述表面處偏轉(zhuǎn)后聚焦。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一權(quán)利要求所述的多芯光纖，其中所述第一劈 裂包括另一表面，并且所述另一表面在所述第一劈裂的所述表面與所述至少一 個第二劈裂中的一個的所述表面之間延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一權(quán)利要求所述的多芯光纖，其中所述第一劈 裂配置為從所述多芯光纖的所述表面延伸到在所述多芯光纖的內(nèi)部中的平面 的孔，并且所述至少一個第二劈裂配置為從所述多芯光纖的所述表面延伸完全 穿過所述多芯光纖的孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一權(quán)利要求所述的多芯光纖，包括：

覆層，并且所述多個光芯以線性、圓形或六邊形布置中的一個嵌入在所述 覆層中。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多芯光纖，其中所述第一光芯與所述至少一個第 二光芯在布置于彼此之上的至少兩個平面中嵌入在所述覆層中，并且所述第一 光芯與所述至少一個第二光芯在垂直于所述多芯光纖的所述縱軸的所述方向 的方向上彼此偏移地布置于所述至少兩個平面內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的多芯光纖，其中所述覆層經(jīng)塑形而使得 所述多芯光纖包括將所述多芯光纖對準(zhǔn)到光學(xué)芯片的表面上的至少一個對準(zhǔn) 結(jié)構(gòu)。