[發明專利]晶體管的制造方法和晶體管

有效

• 申請號: 201480060991.0
• 申請日: 2014-11-20
• 公開（公告）號: CN105706220B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 小泉翔平;杉崎敬;川上雄介
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;C23C18/31;C23C18/32;C23C28/00;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/3205;H01L21/768;H01L29/41;H01L29/786;H01L51/05
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;褚瑤楊

本發明的晶體管的制造方法具有下述工序：在具有源極(6)、漏極(7)、半導體層(9)的基板(2)上，覆蓋半導體層(9)，形成以含氟樹脂為形成材料的第1絕緣體層(10)；覆蓋第1絕緣體層(10)，形成第2絕緣體層(11)；在第2絕緣體層(11)的表面的至少一部分形成基底膜(12)；在基底膜(12)的表面析出作為無電解鍍覆用催化劑的金屬后，利用無電解鍍覆在基底膜的表面形成柵極，形成基底膜(12)的工序是將作為基底膜(12)的形成材料的液態物(12S)涂布于第2絕緣體層(11)的表面來進行的，與第1絕緣體層(10)相比，第2絕緣體層(11)對于液態物(12S)具有更高的親液性。

技術領域

本發明涉及晶體管的制造方法和晶體管。

本申請要求基于2013年11月21日申請的日本專利申請2013-240560號的優先權，并將其內容援用于此。

背景技術

以往，作為晶體管的制造方法，研究了應用面向便宜、大型化的溶液工藝。與以往相比，采用溶液工藝時，可以以更低溫制造晶體管。此外，通過將使用有機半導體材料的有機半導體層形成于使用了樹脂材料的柔性基板上，也可以制造具有可撓性的有機晶體管。

在這樣的晶體管的制造方法中，可以使用化學鍍覆(無電解鍍覆)，所述化學鍍覆為利用基于材料表面的接觸作用產生的還原的鍍覆法。在無電解鍍覆中不使用電能，因此對于樹脂材料、玻璃等非導體也可以實施鍍覆。但是，樹脂材料、玻璃等難鍍覆材料與所形成的鍍覆皮膜之間的密合力弱，鍍覆層容易因鍍覆皮膜的內部應力而產生剝落、膨脹等剝離。

因此，使用鉻酸溶液等在基板的表面實施蝕刻處理，使表面發生化學粗化。由此，所形成的鍍覆皮膜嵌入經粗化的樹脂材料的凹凸，因此能夠得到密合力(錨定效果)。

除此之外，還公開有下述方法：在基板表面上設置由微粉末二氧化硅等填料成分與樹脂組成成分構成的基底膜，在該基底膜上進行無電解鍍覆(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-208389號公報

發明內容

發明所要解決的課題

但是，晶體管有時在傳輸特性中產生磁滯。作為磁滯的主要原因，可以舉出“載流子阱”，即在半導體與絕緣膜的界面，絕緣膜妨礙電子流動。在晶體管的設計中，以不產生磁滯的方式選擇結構、材料，但利用溶液工藝制造晶體管的情況下，形成材料、晶體管結構的選擇自由度小，難以制造不易產生磁滯的晶體管。

本發明方式的目的在于提供一種晶體管的制造方法，該制造方法可以制造在傳輸特性中不易產生磁滯且動作行為穩定的晶體管。此外，另一目的在于提供一種動作行為穩定的晶體管。

用于解決課題的手段

本發明的一個方式為晶體管的制造方法，該制造方法具有下述工序：在形成有源極、漏極和與所述源極、所述漏極的表面相接的有機半導體層的基板上，覆蓋所述有機半導體層，形成以含氟樹脂為形成材料的第1絕緣體層；覆蓋所述第1絕緣體層，形成第2絕緣體層；在所述第2絕緣體層的表面的至少一部分形成鍍覆基底膜；在所述鍍覆基底膜的表面析出作為無電解鍍覆用催化劑的金屬后，利用無電解鍍覆在所述鍍覆基底膜的表面形成柵極；形成所述鍍覆基底膜的工序是將作為所述鍍覆基底膜的形成材料的液態物涂布于所述第2絕緣體層的表面來進行的，與所述第1絕緣體層相比，所述第2絕緣體層對于所述液態物具有更高的親液性。