[發明專利]確定或監測容器中介質的料位的設備

有效

• 申請號: 201480060863.6
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105705913B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 托馬斯·布勒德特;彼得·克勒費爾
• 申請（專利權）人: 恩德萊斯和豪瑟爾歐洲兩合公司
• 主分類號: G01F23/284
• 分類號: G01F23/284
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張煥生;謝麗娜

1.一種確定或監測容器(2)中介質(3)的料位(h、H)或者預定限位的設備，包括：

自激發系統，所述自激發系統由下列組件組成：

-用于產生預定頻段內的電磁波的振蕩產生單元，

-具有電極(4)的至少一個傳感器(1)，其中所述傳感器(1)被布置成關于所述容器(2)的縱軸成預定角度，其中所述電極(4)被施加所述電磁波，其中所述至少一個傳感器(1)相對于所述介質(3)被布置成使得在所述介質(3)的界面處反射的所述電磁波的相位在所述介質(3)的影響下改變，和

-反饋回路，所述反饋回路把所述電磁波反饋給所述至少一個傳感器(1)，由此確定所述自激發系統的頻率，

頻率檢測器，所述頻率檢測器記錄所述電磁波的頻率，和

評價單元(28、29)，所述評價單元基于所記錄的頻率確定依賴于相應料位的所述介質(3)的相對介電常數(DK_meas)和/或滲透率，并且基于所確定的所述介質(3)的相對介電常數(DK_meas)和/或滲透率而確定所述容器(2)中的所述介質(3)的料位(h)或者所述預定限位的到達。

2.根據權利要求1所述的設備，

其中所述傳感器(1)由布置在絕緣材料(5)上的電極(4)組成，并且

其中所述電極(4)和所述絕緣材料(5)形成測量元件(23)。

3.根據權利要求2所述的設備，

其中所述傳感器(1)或者所述測量元件(23)被布置在所述容器(2)的內壁上、所述容器(2)的外壁上或者所述介質(3)內。

4.根據權利要求1、2或者3所述的設備，

其中所述評價單元(28、29)根據下列公式計算絕對的或者相對于所述容器(2)料位最大高度的料位(H、h)：

h＝[DK_meas–DK_ATM]/[DK_M–DK_ATM]，或

H＝[DK_meas–1]/[DK_M–1]*100％

其中，DK_meas是用所述傳感器(1)測量的相對介電常數，DK_ATM是所述介質(3)的表面(13)之上的區域中的氣相(14)的相對介電常數，并且DK_M是所述介質(3)的相對介電常數。

5.根據權利要求4所述的設備，

其中預先確定所述介質(3)的相對介電常數(DK_M)，或者其中設置第一參考傳感器(6)，所述第一參考傳感器被實施成對應于所述傳感器(1)，其中所述第一參考傳感器(6)被至少被臨時布置成在所述電極(4)的整個縱向延伸上與所述介質(3)相互作用，其中所述頻率檢測器測量所述第一參考傳感器(6)的頻率，并且其中所述評價單元(28、29)基于所述傳感器(1)測量的相對介電常數(DKmeas)以及預先確定的或由所述第一參考傳感器(6)確定的所述介質(3)的相對介電常數(DK_M)而確定所述容器(2)中的所述介質(3)的所述料位(h、H)或者所述預定限位。

6.根據權利要求5所述的設備，

其中預先確定所述氣相(14)中殘留的所述介質(3)的相對介電常數(DK_ATM)，或者

其中設置被實施成對應于所述傳感器(1)和/或所述第一參考傳感器(6)的第二參考傳感器(7)，其中所述第二參考傳感器(7)的電極被定向成基本垂直于所述傳感器(1)的電極(4)，并且所述第二參考傳感器(7)被布置在所述容器(2)的區域中，在該區域中，耦合到所述第二參考傳感器(7)的所述電極(4)上的電磁波受所述氣相(14)中的所述介質(3)的影響至少有時恒定，并且其中所述評價單元(28、29)基于預先確定或者確定的相對介電常數(DK_meas、DK_M)確定或者監測所述容器(2)中的所述介質(3)的料位或者預定限位。