[發明專利]金屬氧化物半導體膜、薄膜晶體管、顯示裝置、圖像傳感器及X射線傳感器

有效

• 申請號: 201480060668.3
• 申請日: 2014-11-10
• 公開（公告）號: CN105706243B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 高田真宏;田中淳;鈴木真之
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉文海

本發明提供一種金屬氧化物半導體膜及具備金屬氧化物半導體膜的設備，所述金屬氧化物半導體膜至少含有銦作為金屬成分，在將膜中的銦濃度設為D_I(atoms/cm³)，且將膜中的氫濃度設為D_H(atoms/cm³)時，滿足以下關系式(1)：0.1≤D_H/D_I≤1.8 (1)。

技術領域

本發明涉及一種金屬氧化物半導體膜、薄膜晶體管、顯示裝置、圖像傳感器及X射線傳感器。

背景技術

金屬氧化物半導體膜在通過真空成膜法進行制造時被實際使用，目前備受矚目。

另一方面，以簡單地在低溫且大氣壓下形成具有較高的半導體特性的金屬氧化物半導體膜為目的，正在積極地進行與基于液相法制作金屬氧化物半導體膜有關的研究和開發。

例如，公開有涂布含有硝酸鹽等金屬鹽的溶液，形成金屬氧化物半導體層的方法(參考國際公開第2009/081862號)。

并且，報告有如下方法，將溶液涂布于基板上，并通過使用紫外線來制造在150℃以下的低溫下具有較高的輸送特性的薄膜晶體管(TFT：Thin Film Transistor)的方法(參考Nature，489(2012)128.)。

并且，公開了具有基于二次離子質譜分析的氮濃度小于5×10¹⁹atoms/cm³的氧化物半導體膜的晶體管(參考日本專利公開2013-33934號公報)。

發明的概要

發明要解決的技術課題

本發明的目的在于提供一種能夠在低溫且大氣壓下制造的致密的金屬氧化物半導體膜、具有較高的遷移率的薄膜晶體管、顯示裝置、圖像傳感器及X射線傳感器。

用于解決技術課題的手段

為了達到上述目的而提供以下發明。

<1>一種至少含有銦作為金屬成分的金屬氧化物半導體膜，其中，在將膜中的銦濃度設為D_I(atoms/cm³)，且將膜中的氫濃度設為D_H(atoms/cm³)時，滿足以下關系式(1)。

0.1≤D_H/D_I≤1.8 (1)

<2>根據<1>所述的金屬氧化物半導體膜，其中，滿足以下關系式(2)。

0.5≤D_H/D_I≤1.3 (2)

<3>根據<1>或<2>所述的金屬氧化物半導體膜，其中，膜中的銦含量為包含于該膜中的所有金屬元素的50atom％以上。

<4>根據<1>～<3>中任一項所述的金屬氧化物半導體膜，其中，通過X射線反射率法測定的平均膜密度為6g/cm³以上。

<5>根據<1>～<4>中任一項所述的金屬氧化物半導體膜，其中，在將膜中的氮濃度設為D_N(atoms/cm³)時，滿足以下關系式(3)。

0.004≤D_N/D_I≤0.012 (3)