[發(fā)明專利]使用紅外線攝影機的低溫快速熱處理控制在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480060466.9 | 申請日: | 2014-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN105706219A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金·韋洛爾;迪內士·卡納瓦德;列昂尼德·M·特蒂特斯特;諾曼·L·塔姆;阿倫·繆爾·亨特 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 紅外線 攝影機 低溫 快速 熱處理 控制 | ||
1.一種處理腔室,所述處理腔室包括:
腔室主體;
設置于所述腔室主體中的燈陣列;
設置于所述腔室主體上方的蓋;
探頭,所述探頭設置為穿過所述腔室蓋內的開口,所述探頭在所述探頭的 第一端上具有廣角透鏡陣列;及
紅外線攝影機,所述紅外線攝影機耦合至所述探頭的第二端。
2.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述廣角透鏡陣列包括多個透鏡,所 述多個透鏡以間隔器分離。
3.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述探頭包括外殼與定位于所述外殼 中的彈簧。
4.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述蓋包含在所述蓋中的冷卻通道。
5.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述廣角透鏡陣列具有大約160度至 大約170度的視角。
6.如權利要求1所述的處理腔室,其中所述蓋包含在所述蓋中的冷卻通道, 所述冷卻通道與所述探頭熱連通(thermalcommunication)。
7.一種在處理腔室中監(jiān)控燈性能的方法,所述方法包括以下步驟:
利用紅外線攝影機與廣角透鏡陣列拍攝所述處理腔室內的基板的圖像;
將拍攝的所述圖像傳輸至控制單元;及
從拍攝的所述圖像確定均勻性。
8.如權利要求7所述的方法,所述方法進一步包括以下步驟:在將拍攝的所 述圖像與參考圖像比較后,調整提供至所述燈陣列內的一或更多個燈的功率。
9.如權利要求7所述的方法,所述方法進一步包括以下步驟:在所述拍攝圖 像之前,提升所述處理腔室內的預熱環(huán)。
10.如權利要求7所述的方法,其中在拍攝所述圖像時,透明基板定位于所述 處理腔室內。
11.如權利要求7所述的方法,其中從拍攝的所述圖像確定均勻性的步驟包括 以下步驟:將拍攝的所述圖像與參考圖像比較。
12.一種處理腔室,所述處理腔室包括:
腔室主體;
設置于所述腔室主體中的燈陣列;
設置于所述腔室主體上方的蓋;
探頭,所述探頭設置為穿過所述腔室蓋內的開口,所述探頭在所述探頭的 第一端上具有廣角透鏡陣列,其中所述探頭包括外殼與定位于所述外殼中的 彈簧,且其中所述廣角透鏡陣列包括多個透鏡;及
攝影機,所述攝影機耦合至所述探頭的第二端。
13.如權利要求12所述的處理腔室,其中:
所述探頭的所述外殼包括不銹鋼;
所述廣角透鏡陣列具有大約160度至大約170度的視角;
所述蓋包含在所述蓋中的冷卻通道,所述冷卻通道與所述探頭熱連通;及
攝影機為紅外線攝影機。
14.如權利要求12所述的處理腔室,其中:
所述蓋包含與所述蓋耦合的反射板,且其中所述探頭設置為穿過所述反射 板;
所述探頭的所述外殼包括不銹鋼;及
所述外殼包括孔,所述孔具有大約3毫米至大約7毫米的直徑。
15.如權利要求12所述的處理腔室,其中所述蓋包含在所述蓋中的冷卻通道, 所述冷卻通道與所述探頭熱連通。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





