[發明專利]熱塑性液晶聚合物薄膜的制造方法、以及電路基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201480060003.2
• 申請日: 2014-10-22
• 公開（公告）號: CN105683266B
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 中島崇裕;小野寺稔;砂本辰也
• 申請（專利權）人: 株式會社可樂麗
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;B32B27/08;H05K3/28
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 滿鳳;金龍河

1.一種熱塑性液晶聚合物薄膜的制造方法，其是為了對由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的被粘物即被粘物薄膜進行熱膠粘而作為膠粘性薄膜使用的熱塑性液晶聚合物薄膜的制造方法，其由下述工序構成：

掌握工序，分別準備熱塑性液晶聚合物薄膜作為被粘物薄膜和膠粘性薄膜，對于所述熱塑性液晶聚合物薄膜的被膠粘表面部，通過X射線光電子能譜分析掌握[C-O鍵]和[COO鍵]的峰面積之和在由C(1s)引起的鍵峰的峰面積的合計中所占的％比率：X(％)和Y(％)；和

調節工序，以使所述X和Y滿足下述式(1)和式(2)的方式對作為膠粘性薄膜的熱塑性液晶聚合物薄膜進行選擇或活化處理，

38≤X+Y≤65 (1)

-5.0≤Y-X≤5.0 (2)。

2.如權利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，在調節工序中，對熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜進行選自由紫外線照射、等離子體照射和電暈處理組成的組中的至少一種活化處理。

3.如權利要求1或2所述的薄膜的制造方法，其中，在熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜的峰面積之和的％比率Y的調節前或調節后，進一步包含：

脫氣工序，使所述熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜(i)在真空度1500Pa以下在真空下脫氣30分鐘以上、和/或(ii)在100℃～200℃的范圍內在加熱下脫氣，由此，對所述熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜進行脫氣。

4.如權利要求3所述的薄膜的制造方法，其中，脫氣工序通過在真空度1500Pa以下在50～200℃的范圍內加熱來進行。

5.如權利要求1或2所述的薄膜的制造方法，其中，熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜的厚度為10～500μm。

6.如權利要求3所述的薄膜的制造方法，其中，熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜的厚度為10～500μm。

7.如權利要求4所述的薄膜的制造方法，其中，熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜的厚度為10～500μm。

8.一種電路基板的制造方法，其為將由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的被粘物與由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的膠粘性薄膜通過熱膠粘進行層疊而得到的電路基板的制造方法，

所述制造方法至少具備：

準備工序，分別準備所述被粘物薄膜和膠粘性薄膜作為選自在至少一個面上形成有導體層的絕緣基板、粘合片和覆蓋層中的至少一種電路基板材料；和

熱壓接工序，將準備的被粘物薄膜與膠粘性薄膜重疊，在預定的壓力下加熱而對電路基板材料進行熱壓接，

所述膠粘性薄膜為通過權利要求1～7中任一項所述的制造方法制造的熱塑性液晶聚合物薄膜。

9.如權利要求8所述的電路基板的制造方法，其中，被粘物薄膜為在至少一個面上形成有導體電路的絕緣基板，膠粘性薄膜為選自在至少一個面上形成有導體層的絕緣基板、粘合片和覆蓋層中的至少一種電路基板材料。

10.如權利要求8或9所述的電路基板的制造方法，其中，進一步在熱壓接工序之前進行權利要求3或4所述的脫氣工序。

11.如權利要求10所述的電路基板的制造方法，其中，脫氣工序在真空度為1500Pa以下的真空下在加熱溫度為50℃～150℃的范圍內進行30分鐘以上。